Infineon IPA60R099C6

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для силового MOSFET транзистора Infineon IPA60R099C6.

Описание

Infineon IPA60R099C6 — это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ C6. Это ключевой компонент, разработанный специально для высокоэффективных импульсных источников питания (SMPS).

Основная идея и преимущества технологии CoolMOS™ C6:

• Сверхнизкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Благодаря этому достигаются минимальные потери на проводимость, что напрямую повышает общий КПД системы.
• Оптимизированный баланс между динамическими характеристиками и потерями: Технология обеспечивает отличное соотношение заряда затвора (Qg) и Rds(on), что снижает коммутационные потери и упрощает управление драйвером.
• Высокая надежность и устойчивость к перегрузкам: Встроенные функции защиты (например, высокая стойкость к лавинному пробою) делают его надежным решением в жестких условиях работы.

Основные сферы применения:

• Импульсные источники питания (SMPS) для ПК, серверов, игровых консолей.
• Корректоры коэффициента мощности (PFC), особенно в т.н. "турбо-режиме" (Transition Mode PFC).
• Резонансные преобразователи (LLC-конверторы) в роли нижнего или верхнего ключа.
• Источники питания для промышленного оборудования, телекоммуникаций и освещения (LED драйверы).

Ключевые технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание / Условие измерения | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | Технология CoolMOS™ C6 | | Корпус | TO-220 | Классический изолированный корпус для монтажа на радиатор | | Напряжение "Сток-Исток" (Vds) | 650 В | Максимальное напряжение, которое может выдержать закрытый транзистор | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 0.099 Ом | Ключевая характеристика. При Vgs=10 В, Tj=25°C | | Максимальный постоянный ток стока (Id) | 18 А | При Tc=25°C (температура корпуса) | | Импульсный ток стока (Id_pulse) | 72 А | Кратковременная перегрузка | | Заряд затвора (Qg) | ~52 нКл | Важно для расчета драйвера. При Vgs=10 В | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 3.0 - 5.0 В | Типичное ~4.0 В | | Максимальное напряжение "Затвор-Исток" (Vgs) | ±30 В | Не превышать! | | Энергия лавинного пробоя (Eas) | 960 мДж | Показатель устойчивости к индуктивным выбросам | | Температура перехода (Tj) | -55 ... +150 °C | Максимальная рабочая температура кристалла | | Скорость переключения | Высокая | Оптимизирована для работы на частотах до 100 кГц и выше |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги в других корпусах

Один и тот же кристалл (чип) часто поставляется в разных корпусах для удобства монтажа. Основные варианты для IPA60R099C6:

• IPA60R099C6: Стандартный корпус TO-220 (изолированный).
• IPB60R099C6: Корпус TO-263 (D²PAK). Поверхностный монтаж (SMD), более мощный отвод тепла через плату.
• IPP60R099C6: Корпус TO-220 FullPAK (неизолированный). Лучший тепловой контакт с радиатором, но требуется изоляционная прокладка.

Важно: Буквы A, B, P после IP обозначают тип корпуса, а электрические параметры кристалла идентичны.

Совместимые и конкурирующие модели (Аналоги)

При поиске замены или аналога необходимо сравнивать ключевые параметры: Vds (650В), Rds(on) (~0.1 Ом), ток (Id ~18А) и заряд затвора (Qg).

Прямые аналоги от других производителей (очень близкие по параметрам):

1. STMicroelectronics:

   • STF18N65M6 (MDmesh™ M6, 650V, 0.099 Ohm, TO-220FP)
   • STW18N65M6 (в корпусе TO-247)

2. ON Semiconductor / Fairchild:

   • FCP18N65 (SuperFET® III, 650V, 0.19 Ohm - слабее по Rds(on), но популярен в схожих применениях)
   • Более новое семейство FDL100N65 (в корпусе TO-247) требует проверки по току и Rds(on).

3. Vishay Siliconix:

   • SUD18N06-650L (650V, 0.06 Ohm - может быть мощнее, нужно проверять по схеме)

Аналоги от Infineon из других поколений CoolMOS™ (для модернизации или замены в ремонте):

• CoolMOS™ C3 / C3: IPP60R099C3 (более старое поколение, чуть выше потери).
• CoolMOS™ C7 / CFD7: Новейшее поколение, например, IPP60R099C7 или IQD60R099C7. Обычно имеют лучшие динамические характеристики и могут быть прямой drop-in заменой (установлены в той же схеме) с потенциальным повышением КПД. Рекомендуется проверять datasheet на совместимость по управлению.

Важное замечание по замене: Перед установкой аналога обязательно сверяйтесь с даташитами, особенно по следующим пунктам:

• Распиновка (pinout) корпуса.
• Емкости затвора (Ciss, Coss, Crss) и заряд (Qg) — это влияет на работу драйвера.
• Внутренняя структура диода сток-исток (body diode) и ее характеристики обратного восстановения (Qrr, trr), особенно для PFC и LLC схем.