Infineon IPA60R190C6

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для силового MOSFET транзистора Infineon IPA60R190C6.

Описание

Infineon IPA60R190C6 — это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ C6. Это ключевой компонент, разработанный специально для высокоэффективных и компактных импульсных источников питания.

Его главные преимущества:

• Высокая эффективность: Технология C6 оптимизирована для работы в ключевых режимах с жестким переключением (hard switching), характерных для топологий PFC (корректор коэффициента мощности) и LLC-резонансных преобразователей. Обеспечивает низкие динамические потери.
• Отличное соотношение Rds(on) * Qg: Имеет очень низкое сопротивление в открытом состоянии (190 мОм) при сравнительно невысоком общем заряде затвора (Qg). Это минимизирует как проводимые, так и коммутационные потери.
• Высокая надежность: Обладает высокой стойкостью к лавинным нагрузкам (100% тестирование UIS), что повышает надежность конечного устройства.
• Встроенный обратный диод: Содержит быстрый внутренний диод (body diode), что критически важно для работы в мостовых и резонансных схемах.
• Корпус TO-220: Классический, популярный корпус, удобный для монтажа и отвода тепла (с радиатором).

Основные области применения:

• Импульсные блоки питания (SMPS) для ПК, серверов, бытовой электроники.
• Корректоры коэффициента мощности (PFC), особенно в Boost-конфигурации.
• Резонансные LLC-преобразователи (полумост, полный мост).
• Источники питания для освещения (LED драйверы высокой мощности).
• Инверторы и промышленные источники питания.

Ключевые технические характеристики (ТХ)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-канальный, MOSFET | Технология CoolMOS™ C6 | | Корпус | TO-220 | | | Напряжение сток-исток (Vds) | 600 В | Максимальное рабочее напряжение | | Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) | 0.190 Ом (макс.) | При Vgs=10 В, Id=3.3 А | | Ток стока (Id) | 11 А | При Tc=25°C | | Импульсный ток стока (Id_pulse) | 44 А | | | Общий заряд затвора (Qg) | ~52 нКл (тип.) | При Vgs=10 В, Vds=400 В (ключевой параметр для расчета драйвера) | | Заряд затвора-исток (Qgs) | ~9.5 нКл | | | Заряд Миллера (Qgd) | ~18 нКл | | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 3.0 - 5.0 В | | | Время включения (t_on) / выключения (t_off) | ~20 нс / ~55 нс (тип.) | | | Встроенный обратный диод | Есть | Параметры: Vsd = -1.3 В (тип.), trr ~ 100 нс (тип.) | | Энергия лавинного пробоя (EAS) | 480 мДж | Показатель надежности при коммутации индуктивной нагрузки | | Макс. температура перехода (Tj) | -55 ... +150 °C | | | Тепловое сопротивление переход-корпус (RthJC) | 1.0 °C/Вт | Показывает, насколько хорошо корпус отводит тепло от кристалла |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

1. Прямые парт-номера от Infineon: Это тот же самый кристалл и характеристики в разных корпусах. Модель IPA60R190C6 имеет изолированный фланец (Isolated Package).

• IPA60R190C6 -> TO-220 FullPAK (фланец изолирован от стока). Буква "A" в обозначении указывает на изолированный корпус.
• IPP60R190C6 -> TO-220 FullPAK (фланец НЕ изолирован, электрически соединен со стоком (D)). Буква "P" указывает на неинсулированный (проводящий) корпус. Внимание: Это важно при монтаже на общий радиатор!

2. Прямые аналоги (аналогичные ТХ и технология): Эти модели имеют максимально близкие характеристики и предназначены для тех же применений. Часто взаимозаменяемы без пересчета схемы.

• STMicroelectronics: STW20N60M6, STP20N60M6 (серия MDmesh™ M6, 600В / 0.19 Ом).
• ON Semiconductor: FCP20N60, NCE20TF60 (суперджанкшн технология).
• Vishay/Siliconix: SUD20N06-60 (серия E6).
• Power Integrations (через сторонние фабрики): Модели в топологиях HiperPFS, HiperLCS могут использовать аналогичные кристаллы.

3. Совместимые / Условно-заменяемые модели (требуется проверка): Эти транзисторы имеют схожие ключевые параметры (600В, ~0.2 Ом, ~11А), но могут отличаться динамическими характеристиками (Qg, Coss), временами переключения. Замена возможна, но требует внимания:

• Infineon CoolMOS C3/C7: Например, IPP60R190C7 (C7 - более новая генерация, часто лучше).
• STMicroelectronics MDmesh™ M5/M2: STW20N60DM2 (0.19 Ом).
• Fairchild/ON Semi SuperFET II/III: FCP20N60F, FCH20N60F.
• Toshiba TK серия.

Важные замечания по замене и использованию

1. Проверка цепи затвора: При замене на аналог критически важно сравнивать заряды затвора (Qg, Qgs, Qgd). Большее значение Qg может потребовать усиления драйвера.
2. Параметры внутреннего диода: Для LLC и мостовых схем важны время обратного восстановения (trr) и заряд обратного восстановления (Qrr) диода.
3. Изоляция корпуса: Всегда проверяйте, изолирован ли фланец (IPAxx) или нет (IPPxx). Это влияет на необходимость изолирующих прокладок при монтаже на радиатор.
4. Рекомендуемый драйвер: Для эффективного управления таким MOSFET необходим драйвер с током 1-2А (например, IR2110, IRS2186, FAN7392 и т.д.).

Вывод: IPA60R190C6 — это высоконадежный и эффективный MOSFET для силовой электроники среднего и высокого уровня мощности. При замене всегда сверяйтесь с даташитами, уделяя особое внимание динамическим характеристикам и параметрам встроенного диода.