Infineon IPA60R190E6

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для силового MOSFET транзистора Infineon IPA60R190E6.

Общее описание

Infineon IPA60R190E6 — это N-канальный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ E6. Это ключевой компонент, разработанный специально для высокоэффективных импульсных источников питания (SMPS). Его основная "фишка" — оптимальный баланс между низким сопротивлением в открытом состоянии (RDS(on)) и низким зарядом затвора (Qg), что напрямую ведет к снижению коммутационных потерь и повышению общего КПД системы, особенно в работающих на высоких частотах (десятки-сотни кГц).

Основное назначение: Применяется в силовых каскадах:

• Импульсные блоки питания (PFC-каскады, LLC-резонансные преобразователи, прямоходовые преобразователи).
• Инверторы для солнечной энергетики.
• Источники питания для серверов, телекоммуникационного оборудования, промышленной электроники.

Ключевые технические характеристики (ТХ)

При температуре 25°C, если не указано иное.

| Параметр | Значение | Единица измерения | Комментарий | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-Channel MOSFET | — | Технология CoolMOS™ E6 | | Корпус | TO-220 | — | Классический силовой корпус с отверстием для крепления на радиатор. | | Напряжение "сток-исток" (VDSS) | 600 | В | Максимальное напряжение, которое может выдержать закрытый транзистор. | | Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) | 0.190 | Ом | При VGS = 10 В, ID = 9.5 А. Ключевой параметр, определяющий проводимостные потери. | | Максимальный непрерывный ток стока (ID) | 9.5 | А | При температуре корпуса 25°C. | | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | 38 | А | | | Заряд затвора (Qg) | ~48 | нКл | При VGS = 10 В. Ключевой параметр, определяющий коммутационные потери. Низкое значение позволяет быстрее переключаться. | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 3.0 - 5.0 | В | Тип. 4.0 В | | Максимальное напряжение "затвор-исток" (VGSS) | ±30 | В | | | Диод обратного восстановления (Qrr) | Очень низкий | — | Встроенный обратный диод (Body Diode) с оптимизированными характеристиками для снижения потерь. | | Тепловое сопротивление "переход-корпус" (RthJC) | 1.67 | °C/Вт | | | Максимальная температура перехода (Tj) | 175 | °C | |

Основное преимущество E6 серии: Идеальное соотношение RDS(on) * Qg (Figure of Merit, FoM). Для IPA60R190E6 это значение одно из лучших в своем классе на 600В, что делает его отличным выбором для современных энергоэффективных решений.

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Транзисторы часто имеют несколько парт-номеров в зависимости от упаковки (трубка, рулон) или региональных обозначений. Основной номер — IPA60R190E6.

• Полное обозначение для заказа: IPA60R190E6XKSA1
  • IPA60R190E6 — основная модель.
  • X — может обозначать вариант упаковки.
  • KSA1 — часто указывает на тип ленты и упаковки для автоматической установки (если применимо).
• Альтернативное написание (равнозначное): Иногда может встречаться как IPA60R190E6XK.

Совместимые и аналогичные модели (Прямые и функциональные аналоги)

При поиске замены важно смотреть не только на цифры в названии, но и на ключевые параметры (VDS, RDS(on), Qg, корпус).

1. Прямые аналоги от Infineon (в той же серии E6):

• IPA60R185E6 — RDS(on) = 0.185 Ом (немного лучше).
• IPA60R195E6 — RDS(on) = 0.195 Ом (немного хуже).
• IPA60R180E6 — RDS(on) = 0.180 Ом (более высший класс в линейке).
• SPA60R190E6 — Тот же кристалл, но в корпусе TO-247. Имеет лучшее тепловое сопротивление (RthJC ~ 0.7 °C/Вт) и может работать с большими токами за счет лучшего теплоотвода.

2. Аналоги от других производителей (Функциональные замены):

Нужно проверять распиновку и характеристики по даташиту.

• STMicroelectronics:
  • STF9N60M6 (MDmesh™ M6) — 600В, 0.19 Ом, TO-220FP. Близкий аналог.
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FCP11N60 (SuperFET®) — 600В, 0.19 Ом, TO-220. Классический аналог.
• Vishay / Siliconix:
  • SUP60N06 — 600В, 0.19 Ом, TO-220. Еще один вариант для замены.
• Power Integration (в сборках):
  • Не является прямым аналогом, но в своих известных чипсетах для SMPS (например, серия HiperPFS) часто используют аналогичные по характеристикам MOSFET, встроенные в модули.

Важные замечания при замене:

1. Всегда сверяйтесь с даташитом (datasheet). Особое внимание уделите распиновке (pinout) корпуса, она может отличаться у разных производителей.
2. Проверьте динамические характеристики (Qg, Qgd, Ciss) — от них зависит работа драйвера и коммутационные потери. Прямое совпадение по RDS(on) не гарантирует одинакового поведения на высокой частоте.
3. CoolMOS™ E6 от Infineon обладает уникальными характеристиками обратного восстановления диода. При замене на аналог другой технологии возможны отличия в работе в режиме жесткой коммутации.

Вывод: Infineon IPA60R190E6 — это высококачественный, энергоэффективный MOSFET для силовой электроники среднего и высокого уровня мощности. При замене лучшим вариантом являются аналоги из той же серии E6 от Infineon (особенно в корпусе TO-247 для более тяжелых условий), а при выборе аналога от другого производителя необходим тщательный анализ параметров и схемы применения.