Infineon IPA65R045C7XKSA1

Отличный выбор! IPA65R045C7XKSA1 — это высокопроизводительный транзистор CoolMOS™ 7 от Infineon, один из флагманов в линейке суперджанкшенных MOSFET для высокоэффективных импульсных источников питания.

Описание

IPA65R045C7XKSA1 представляет собой N-канальный MOSFET с технологией CoolMOS™ 7, которая является дальнейшим развитием знаменитой линейки CoolMOS™. Ключевая особенность этого поколения — достижение рекордно низкого значения Rds(on) при сохранении выдающихся динамических характеристик и высокой стойкости к перегрузкам.

Основное назначение: Применяется в высокочастотных и высокоэффективных импульсных источниках питания (SMPS), особенно в топологиях:

• PFC (корректор коэффициента мощности) – как ключевой транзистор в ускоряющем (boost) каскаде.
• LLC-резонансные преобразователи – в первичной стороне (чаще в верхнем плече).
• Прочие жестко- и резонансно-коммутируемые схемы.

Ключевые преимущества технологии CoolMOS™ 7:

• Сверхнизкие потери проводимости: Благодаря минимальному Rds(on).
• Высокая эффективность на высокой частоте: Оптимизированные динамические характеристики (заряды Qg, Qoss) позволяют работать на частотах в сотни кГц, снижая габариты пассивных компонентов.
• Высокая надежность и стойкость: Улучшенная стойкость к импульсным перенапряжениям (dv/dt) и высокая энергия лавинного пробоя.
• Оптимизированная работа в ZVS (коммутация при нулевом напряжении): Низкий заряд обратного восстановления внутреннего диода и оптимизированные характеристики Coss.

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET, Superjunction | CoolMOS™ 7 технология | | Корпус | TO-220 | Изолированный (FullPAK) | | Напряжение сток-исток (Vds) | 650 В | Максимальное постоянное | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 45 мОм | Тип. при Vgs=10 В, Id=32.5 А | | Максимальный ток стока (Id) | 42 А | При Tc=100°C | | Импульсный ток стока (Id_pulse) | 168 А | | | Заряд затвора (Qg) | ~95 нКл | Тип. при Vgs=10 В, Vds=400 В (ключевой параметр для драйвера) | | Входная емкость (Ciss) | ~4600 пФ | | | Энергия лавинного пробоя (Eas) | > 1 Дж | Одиночный импульс (показывает стойкость к перенапряжениям) | | Тепловое сопротивление (RthJC) | 0.45 К/Вт | Корпус-кристалл | | Максимальная температура перехода (Tj) | 175 °C | |

Парт-номера (Part Numbers) и Совместимые / Аналогичные модели

Этот транзистор имеет несколько вариантов маркировки и прямых/близких аналогов от других производителей.

1. Прямые аналоги Infineon (тот же кристалл, разные корпуса/маркировки):

• SPP65R045C7 – Тот же кристалл в корпусе TO-247. Имеет лучшее охлаждение (RthJC ~0.3 К/Вт) и рассчитан на более высокий ток.
• IPD65R045C7 – Тот же кристалл в корпусе D²PAK (TO-263) для поверхностного монтажа (SMD).
• IPP65R045C7 – Тот же кристалл в корпусе TO-220 FullPAK (неизолированный). Буква "A" в IPA65R045C7 указывает на изолированную версию (с диэлектрической прокладкой).

2. Близкие аналоги по характеристикам от Infineon (соседние номиналы в серии C7):

• IPA65R060C7 / SPP65R060C7 – Rds(on) = 60 мОм (мене мощный, часто используется в PFC средней мощности).
• IPA65R033C7 / SPP65R033C7 – Rds(on) = 33 мОм (более мощный).
• IPA65R025C7 / SPP65R025C7 – Rds(on) = 25 мОм (еще более мощный).
• IPA65R950C7 / SPP65R950C7 – Rds(on) = 95 мОм (мене мощный, бюджетный вариант).

3. Совместимые модели / Аналоги от других производителей:

При поиске замены важно сравнивать не только Rds(on) и напряжение, но и динамические характеристики (Qg, Coss), а также паразитные индуктивности корпуса.

• ON Semiconductor (ныне onsemi):
  • FCPF065N65S3-F065 (650В, 45 мОм, TO-220F) - SuperFET III.
  • FCPF065N60S3-F102 (600В, 45 мОм, TO-220F).
• STMicroelectronics:
  • STP65N045M5 (650В, 45 мОм, MDmesh™ M5) - очень популярный аналог.
  • STW65N045M5 (в TO-247).
• Texas Instruments:
  • CSD06560F4 (600В, 45 мОм, NexFET™) - в корпусе TO-220 FullPAK.
• Vishay / Siliconix:
  • SUP65N045 (650В, 45 мОм, TO-220).

Важное замечание по замене: Несмотря на схожие электрические параметры, всегда необходимо:

1. Сверяться с datasheet и сравнивать критические для вашей схемы параметры (Qg, Qgd, Coss, характер переключения).
2. Учитывать разводку печатной платы и паразитные индуктивности (разные корпуса могут иметь разную внутреннюю структуру).
3. Проверять рекомендации по драйверу затвора (необходимый ток, резисторы в цепи затвора).

Вывод: IPA65R045C7XKSA1 — это современный, высоконадежный и эффективный транзистор для требовательных применений. Его выбор оправдан в проектах, где на первом месте стоит КПД, компактность и надежность. При замене аналогами рекомендуются в первую очередь модели от Infineon в той же серии CoolMOS™ 7, а затем — тщательно подобранные аналоги от других вендоров.