Infineon IPB120N06S4-03

Отличный выбор! IPB120N06S4-03 — это высокоэффективный N-канальный силовой MOSFET от Infineon, выполненный по передовой технологии OptiMOS™ 4.

Вот подробное описание, характеристики и информация о совместимости.

Описание

IPB120N06S4-03 — это низковольтный MOSFET, оптимизированный для приложений с высокой эффективностью и плотностью монтажа. Его ключевые особенности:

• Технология OptiMOS™ 4: Обеспечивает исключительно низкое сопротивление канала в открытом состоянии (RDS(on)) при малом заряде затвора (Qg). Это минимизирует потери на проводимость и коммутацию, что критически важно для повышения КПД.
• Низкое пороговое напряжение логического уровня (Logic Level): Позволяет управлять затвором напрямую от микроконтроллеров (3.3В или 5В) без использования драйверов, упрощая схему.
• Высокая стойкость к лавинному пробою: Хорошая надежность в индуктивных нагрузках.
• Корпус TO-263 (D²PAK): Популярный корпус для поверхностного монтажа (SMD), обеспечивающий хороший отвод тепла через контакт стока на печатную плату.
• Основные области применения:
  • Высокоэффективные импульсные источники питания (SMPS), особенно синхронное выпряление на вторичной стороне.
  • DC-DC преобразователи (понижающие, повышающие).
  • Управление двигателями (например, в электромобилях, дронах, промышленных приводах).
  • Системы управления батареями (BMS).
  • Модули стабилизации напряжения (VRM) для серверов.

Ключевые технические характеристики

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный, MOSFET, Logic Level | | | Корпус | TO-263 (D²PAK), 7-Pin | Выводы: 1-затвор, 2-исток, 3-7-сток | | Сток-исток напряжение (VDS) | 60 В | Максимальное рабочее напряжение | | Непрерывный ток стока (ID) | 120 А | При Tc=25°C | | Импульсный ток стока (IDp) | 480 А | | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 1.2 мОм (макс.) | Ключевой параметр! При Vgs=10V, Id=60A | | | 1.4 мОм (макс.) | При Vgs=4.5V, Id=60A | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 1.8 - 2.4 В | Тип. 2.1В (Logic Level) | | Заряд затвора (Qg) | 110 нКл (тип.) | При Vgs=10V, определяет скорость переключения | | Макс. мощность рассеяния (PD) | 357 Вт | При Tc=25°C | | Диод "сток-исток" (Body Diode) | Встроенный | Прямое напряжение VSD ~1.6В (тип.) | | Температура перехода (Tj) | -55 ... +175 °C | |

Part Number (Парт-номер) и аналогичные модели Infineon

Официальный и полный парт-номер для заказа: IPB120N06S4-03XKSA1. Часто в спецификациях и на сайтах дистрибьюторов используется его укороченная форма IPB120N06S4-03.

Прямые аналоги и вариации в семействе OptiMOS™ 4 от Infineon:

• IPP120N06S4-03: Абсолютно идентичная электрическая характеристика, но в корпусе TO-220 FullPAK (для монтажа на радиатор винтом). Идеальная замена, если нужен другой тип корпуса.
• IPB120N06S4: Модель предыдущей ревизии или с чуть менее жесткими электрическими допусками. В большинстве случаев взаимозаменяема с -03.
• IPB090N06S4-03 / IPB140N06S4-03: Модели того же семейства с сопротивлением 0.9 мОм и 1.4 мОм соответственно. Выбор зависит от требуемого баланса между потерями и стоимостью.

Совместимые / Конкурентные модели от других производителей

При поиске аналога (прямой или кросс-замены) необходимо сверять ключевые параметры: VDS, ID, RDS(on) при нужном Vgs, Qg, корпус и расположение выводов.

Примеры популярных аналогов:

• ON Semiconductor (Nexperia):
  • NVMFS5C410N: 100В, 1.0 мОм, 120А, D²PAK (очень близкий по параметрам, но на 100В).
  • PSMN4R5-60BS: 60В, 4.5 мОм, 50А (менее мощный).
• Vishay (Siliconix):
  • SQJ414EP-T1_GE3: 60В, 1.4 мОм, 120А, PowerPAK 8x8 (более современный корпус).
• STMicroelectronics:
  • STL320N6F7: 60В, 2.0 мОм, 180А, H²PAK-7 (очень мощный, другой корпус).
• Texas Instruments:
  • CSD18540Q5B: 60В, 2.3 мОм, 100А, SON 5x6 (в другом форм-факторе).

Важно: Перед заменой обязательно сверяйтесь с даташитами (datasheet) обеих моделей, особенно разделы Absolute Maximum Ratings и Electrical Characteristics, а также распиновку корпуса. Полная идентичность достигается редко, но функциональная совместимость в конкретной схеме — очень часто.

Вывод

IPB120N06S4-03 — это мощный, эффективный и популярный MOSFET, ставший отраслевым стандартом для задач, требующих минимизации потерь. Его основное преимущество — оптимальное соотношение RDS(on) / Qg в корпусе, удобном для монтажа и теплоотвода.