Infineon IPB60R125CP

Infineon IPB60R125CP
Артикул: 563944

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon IPB60R125CP

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для силового MOSFET транзистора Infineon IPB60R125CP.

Общее описание

IPB60R125CP — это N-канальный силовой MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ CP. Это представитель серии, оптимизированной для высокоэффективных и компактных импульсных источников питания. Ключевые преимущества — очень низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)) и выдающиеся динамические характеристики, что минимизирует коммутационные потери и нагрев.

Основное назначение: Применяется в силовых цепях с жестким режимом коммутации, таких как:

  • Импульсные источники питания (SMPS): корректоры коэффициента мощности (PFC), LLC-резонансные преобразователи, прямоходовые преобразователи.
  • Инверторы и драйверы для двигателей.
  • Оборудование для телекоммуникаций и промышленной автоматики.

Корпус: TO-263-3 (D²PAK). Это популярный корпус для поверхностного монтажа (SMD), предназначенный для эффективного отвода тепла через контактную площадку на печатной плате.


Ключевые технические характеристики (ТХ)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-канальный, CoolMOS™ CP | Технология с суперпереходом (Superjunction) | | Корпус | TO-263-3 (D²PAK) | | | Напряжение "сток-исток" (Vds) | 600 В | Максимальное постоянное напряжение | | Ток стока (Id) | 18 А | При Tc = 25°C | | Ток стока (Id) | 11 А | При Tc = 100°C | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 0.125 Ом (макс.) | При Vgs = 10 В, Id = 9 А | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 3.0 - 5.0 В | Тип. 4.0 В | | Заряд затвора (Qg) | ~ 60 нКл | Типовое значение, ключевой параметр для расчета драйвера | | Входная емкость (Ciss) | ~ 1400 пФ | | | Энергия восстановления (Erec) | Очень низкая | Характерно для CoolMOS CP, снижает потери при коммутации | | Макс. температура перехода (Tj) | -55 ... +150 °C | |

Особенности технологии CoolMOS CP:

  • Высокая эффективность: Оптимальный баланс между низким Rds(on) и зарядом затвора (Qg).
  • Высокая надежность: Устойчивость к перегрузкам, отличная способность к лавинному пробою.
  • Быстрая коммутация: Позволяет работать на высоких частотах (десятки-сотни кГц), уменьшая габариты пассивных компонентов.

Парт-номера и прямые аналоги (Cross-Reference)

Парт-номера — это альтернативные обозначения того же самого компонента от Infineon или для разных типов упаковки (катушка/россыпь).

  • IPB60R125CPXKSA1 — Полный порядковый номер, часто указываемый в спецификациях и для заказа. Может включать информацию о лотке/упаковке.
  • SPB60R125CP — Аналог в корпусе TO-220FP (изолированный). Механически и электрически близкий аналог, но с другим типом корпуса и, как следствие, другими тепловыми характеристиками.

Совместимые модели и аналоги от других производителей

При поиске замены важно сравнивать не только основные параметры (Vds, Id, Rds(on)), но и динамические характеристики (Qg, Ciss) и диаграммы безопасной рабочей области (SOA).

Ближайшие аналоги по ключевым параметрам (600В, ~0.12-0.15 Ом, ~18А):

| Производитель | Модель | Корпус | Rds(on) | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | | STMicroelectronics | STP18N60M2 | TO-220 / D²PAK | 0.150 Ом | MDmesh™ M2, хороший функциональный аналог | | ON Semiconductor | FCP18N60 | TO-220 / D²PAK | 0.145 Ом | SuperFET® II | | Fairchild/ON Semi | FCP18N60S | TO-220 / D²PAK | 0.145 Ом | | | Vishay/Siliconix | SUP18N60-18 | TO-220 | 0.18 Ом | | | Power Integration | Транзисторы в составе ChipSwitch™ | | | Интегрированные решения (транзистор + драйвер) |

Важные замечания по замене:

  1. Всегда сверяйте datasheet! Перед заменой необходимо сравнить распиновку (pinout), характеристики драйвера затвора (рекомендуемые Vgs, заряд Qg), температурные зависимости и диаграммы SOA.
  2. Технология: Прямая замена на MOSFET другой технологии (например, обычный, а не Superjunction) может привести к повышенным потерям и перегреву на высоких частотах.
  3. Корпус: Обращайте внимание на тип корпуса (TO-263, TO-220, TO-220FP) и его способность к теплоотводу в вашей конструкции.
  4. Производитель: Указанные аналоги являются функционально близкими, но не всегда являются полными и прямыми клонами. Рекомендуется проводить тестирование в конкретной схеме.

Рекомендация: Для наиболее точного подбора аналога используйте поиск на сайтах-агрегаторах электронных компонентов (например, Octopart, LCSC, FindChips) по параметрам: Vds=600V, Id≈18A, Rds(on) max <0.15Ω, Package=TO-263.

Товары из этой же категории