Infineon IPB60R165CP

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для силового MOSFET транзистора Infineon IPB60R165CP.

Общее описание

Infineon IPB60R165CP — это N-канальный силовой MOSFET транзистор, изготовленный по передовой технологии CoolMOS™ CP. Это ключевой компонент, разработанный для высокоэффективных и компактных импульсных источников питания (SMPS), особенно в топологиях с жестким переключением, таких как Flyback (обратноходовой преобразователь), Forward (прямоходовой) и PFC (корректор коэффициента мощности).

Его основное преимущество — исключительно низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)) в сочетании с отличными динамическими характеристиками и высокой стойкостью к перегрузкам. Это позволяет значительно снизить коммутационные потери и повысить общий КПД системы.

Ключевые особенности и преимущества

• Технология CoolMOS™ CP: Оптимальный баланс между низким сопротивлением Rds(on) и зарядом затвора (Qg), что ведет к снижению как проводимых, так и коммутационных потерь.
• Высокая эффективность: Позволяет создавать более энергоэффективные и холодные блоки питания.
• Повышенная надежность: Обладает высокой стойкостью к импульсным перенапряжениям (dU/dt) и перегрузкам по току.
• Оптимизация для жесткого переключения: Идеально подходит для самых распространенных топологий SMPS.
• Планарная (мезопланарная) технология: Обеспечивает стабильность параметров и надежность.

Основные технические характеристики (ТХ)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | Enhancement mode | | Технология | CoolMOS™ CP | | | Корпус | TO-263 (D²PAK) | Пластиковый, с изолирующей теплопроводящей подложкой | | Напряжение "сток-исток" (Vds) | 650 В | Максимальное постоянное напряжение | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 0.165 Ом (макс.) | При Vgs=10 В, Id=15.8 А | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 0.21 Ом (макс.) | При Vgs=4.5 В, Id=11.5 А (важно для работы от низкого Vgs) | | Максимальный постоянный ток стока (Id) | 20 А | При Tc=25°C | | Максимальный импульсный ток стока (Id_pulse) | 80 А | | | Заряд затвора (Qg) | ~52 нКл (тип.) | При Vgs=10 В, ключевой параметр для расчета драйвера | | Входная емкость (Ciss) | ~1800 пФ (тип.) | | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 3.0 - 5.0 В | | | Максимальное напряжение "затвор-исток" (Vgs) | ±30 В | | | Диод обратного восстановления (Qrr) | Очень низкий | Благодаря технологии CoolMOS, снижает потери в PFC. |

Примечание: Все значения взяты из официального даташита Infineon. Для точного расчета необходимо использовать полный даташит.

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Этот транзистор может встречаться под разными номерами в зависимости от упаковки, маркировки или незначительных ревизий.

• Основной заказной номер: IPB60R165CP
• Номер для автоматизированного монтажа (на катушке): IPB60R165CPAKMA1
• Маркировка на корпусе: Обычно IPB60R165C или 60R165C

Совместимые и аналогичные модели (Прямые и функциональные аналоги)

При поиске замены или аналога важно сравнивать Vds, Id, Rds(on), Qg и корпус.

1. Прямые аналоги от Infineon (в том же семействе CoolMOS CP):

• SPB60R165C - Аналогичные параметры, но в корпусе TO-220FP.
• IPP60R165CP - Аналогичные параметры, но в корпусе TO-220 FullPAK (изолированный).
• IPB60R165C - Может быть предыдущей ревизией или версией с незначительными отличиями в тестах. Как правило, полностью взаимозаменяем.
• IPB60R190C6 / IPB60R180C7 - Модели из того же семейства с чуть большим Rds(on) (0.19 / 0.18 Ом), но часто лучшей доступностью и ценой. Подходят для многих применений.

2. Функциональные аналоги от других производителей (требуется проверка распиновки и даташита):

• STMicroelectronics:
  • STP20NM65FD - 650В, 0.19 Ом, 17А, TO-220/TO-220FP. Классический и популярный аналог.
  • STF20NM65FD - Тот же чип, корпус D²PAK (TO-263).
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FCP20N65 - 650В, 0.19 Ом, 20А, TO-220/TO-220FP.
• Power Integration (в составе интегральных решений):
  • Для ремонта готовых плат: если этот MOSFET используется в обратноходовом преобразователе, его могут заменять на транзисторы из серий TOP/Switch, TinySwitch и т.д., но это уже не прямой аналог, а изменение схемотехники.

Важное замечание по замене:

Перед заменой всегда необходимо:

1. Сверить распиновку корпусов (особенно при смене типа корпуса, например, с D²PAK на TO-220).
2. Проверить динамические параметры (Qg, Qrr) в конкретной схеме. Более высокий Qg может потребовать усиления драйвера.
3. Учесть тепловой режим. Параметры даны для определенной температуры кристалла (Tc).

Рекомендуется: Для критичных применений всегда обращаться к официальным даташитам и проводить тестовые испытания заменяемого компонента в реальной схеме.