Infineon IPB70N10S3-12

Отличный выбор! IPB70N10S3-12 — это высококачественный N-канальный силовой MOSFET от Infineon, пользующийся популярностью благодаря хорошему балансу характеристик и цены.

Краткое описание

IPB70N10S3-12 — это MOSFET в популярном корпусе TO-263 (D²PAK), предназначенный для широкого спектра мощных приложений переключения и линейного управления. Ключевыми особенностями являются низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)) и высокая скорость переключения, что обеспечивает высокую эффективность и снижение тепловых потерь. Буква "12" в конце номера означает, что он поставляется на 12-дюймовой катушке для автоматического монтажа.

Основные области применения:

• Силовые преобразователи: Импульсные источники питания (SMPS), DC-DC конвертеры.
• Управление двигателями: В драйверах моторов, H-мостах (например, в автомобильной электронике, станках с ЧПУ).
• Силовые ключи: В силовых реле, стабилизаторах напряжения, инверторах.
• Автомобильная электроника: Управление нагрузками (фары, обогревы, топливные насосы).

Технические характеристики (основные)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | С изолированным затвором, технология OptiMOS™ | | Корпус | TO-263-3 (D²PAK) | Планарный, для поверхностного монтажа (SMD) | | Сток-Исток напряжение (Vds) | 100 В | Максимальное напряжение, которое можно приложить | | Сток-Исток ток (Id) | 70 А | При температуре корпуса 25°C | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | < 12 мОм (макс.) | При Vgs = 10 В, Id = 35 А. Ключевой параметр для потерь. | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 2 - 4 В | Типично ~3 В | | Напряжение "затвор-исток" (Vgs) | ±20 В (макс.) | Запрещается превышать! | | Общий заряд затвора (Qg) | ~ 60 нКл (тип.) | Важно для расчета драйвера затвора | | Рассеиваемая мощность (Pd) | ~ 200 Вт | Теоретический максимум при идеальном охлаждении | | Температура перехода (Tj) | -55 ... +175 °C | Максимальная рабочая температура кристалла | | Диод обратного восстановления (Qrr) | Низкий | Встроенный обратный диод с хорошей скоростью |

Важные особенности:

• Технология OptiMOS™: Обеспечивает выдающееся соотношение Rds(on) к площади кристалла.
• Полностью лавинные испытания (Avalanche Rated): Устойчив к кратковременным перенапряжениям.
• Высокая стойкость к статическому электричеству (ESD).
• Соответствие RoHS: Без свинца и галогенов.

Парт-номера и прямые аналоги

Часто один и тот же кристалл производится под разными номерами в зависимости от корпуса, упаковки и маркетинговой линии.

Парт-номера от Infineon (прямое переименование или незначительные вариации):

• SPB70N10S3-12 — аналог в корпусе TO-263 (D²PAK), часто идентичен.
• IPB70N10S3-04 — тот же транзистор, но на 13-дюймовой катушке (04).
• Для сквозного монтажа (THT) в корпусе TO-220 ищите: IPB70N10S3-03 (вероятно, существует как аналог).

Совместимые модели / Прямые аналоги от других производителей:

При поиске аналога обязательно проверяйте распиновку (pinout) и технические характеристики в даташите!

| Производитель | Номер аналога | Корпус | Примечание (чем может отличаться) | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Vishay (Siliconix) | SQJ70EP | TO-263 | Очень близкие параметры, популярный аналог. | | STMicroelectronics | STP70N10 | TO-220 | Классический аналог в другом корпусе. | | Fairchild/ON Semi | FDP7030L | TO-263 | Может иметь отличия в Vgs(th) и Qg. | | IR (International Rectifier) | IRF7416 | TO-263 | Аналог из серии IR, проверять даташит. | | NXP | PSMN4R5-100BSE | TO-263 | Более современный аналог с еще более низким Rds(on). |

Как искать аналоги:

1. Используйте параметрический поиск на сайтах-агрегаторах (например, Octopart, LCSC, FindChips).
2. Ключевые фильтры: Vds = 100В, Id >= 70А, Rds(on) < 12мОм, Корпус: D²PAK/TO-263.
3. Всегда скачивайте и сравнивайте даташиты, особенно разделы Absolute Maximum Ratings и Electrical Characteristics.

Рекомендации по применению

• Драйвер затвора: Для эффективного и быстрого переключения используйте специализированный драйвер MOSFET. Не управляйте напрямую от микроконтроллера.
• Охлаждение: Корпус D²PAK предназначен для пайки на печатную плату, которая служит радиатором. При больших токах обязательно используйте массивную медную площадку (тепловую полигон) или внешний радиатор.
• Защита: Рекомендуется использовать снабберные цепи для подавления выбросов напряжения, особенно в индуктивных нагрузках.

Вывод: IPB70N10S3-12 — надежный и производительный MOSFET, отлично подходящий для задач, где требуется коммутация больших токов (до 70А) при напряжениях до 100В. Его популярность гарантирует хорошую доступность и широкий выбор прямых и кросс-производительных аналогов.