Infineon IPB80P04P4L04

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация по совместимости для транзистора Infineon IPB80P04P4L04.

Общее описание

Infineon IPB80P04P4L04 — это N-канальный мощный MOSFET, выполненный по передовой технологии OptiMOS™ P4. Он предназначен для применений, где критически важны высокий КПД, надежность и компактность. Ключевая особенность этого транзистора — чрезвычайно низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)) при номинальном напряжении 40 В, что минимизирует потери на проводимость и нагрев.

Этот транзистор представлен в современном корпусе TO-263 (D²PAK), который обеспечивает хороший баланс между эффективным отводом тепла (благодаря большой контактной площадке) и возможностью поверхностного монтажа (SMD).

Основные целевые применения:

• Системы управления электродвигателями (например, в автоэлектронике, силовых агрегатах).
• Синхронное выпряление в импульсных источниках питания (SMPS), особенно в низковольтных секциях.
• DC-DC преобразователи.
• Модули управления батареями (BMS).
• Силовые ключи в низковольтных инверторах и контроллерах.

Ключевые технические характеристики

| Параметр | Значение | Условия / Примечания | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET (Logic Level) | Управляется низким напряжением затвора | | Технология | OptiMOS™ P4 | | | Корпус | TO-263-3 (D²PAK) | SMD-корпус с теплоотводящей площадкой | | Сток-Исток напряжение (Vds) | 40 В | Максимальное напряжение | | Сток постоянный ток (Id) | 80 А | При Tc=25°C | | Сток импульсный ток (Idm) | 320 А | | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | < 4.0 мОм | Ключевой параметр! Vgs=10 В, Id=40 А | | | < 4.8 мОм | Vgs=4.5 В, Id=20 А (важно для logic-level) | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 1.8 - 2.6 В | Тип. 2.2 В (позволяет управлять от 5В/3.3В логики) | | Затвор-Исток напряжение (Vgs) | ±20 В | Максимальное (не превышать!) | | Общий заряд затвора (Qg) | ~40 нКл | Vgs=10 В (показатель легкости управления) | | Рассеиваемая мощность (Pd) | ~200 Вт | Зависит от условий теплоотвода |

Важное примечание по току: Значение 80А указано для идеальных условий (температура кристалла 25°C). В реальных условиях, при высокой температуре корпуса, максимальный непрерывный ток будет значительно ниже и определяется эффективностью системы охлаждения.

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Обычно один и тот же компонент может иметь незначительные вариации в маркировке в зависимости от поставщика или упаковки. Основной парт-номер:

• SP001307478 — внутренний номер Infineon для заказа.

На корпусе транзистора нанесена маркировка: P04P4L04

Совместимые и аналогичные модели (Прямые и функциональные аналоги)

При поиске замены важно сравнивать ключевые параметры: Vds (40В), Id (80А), Rds(on) (~4 мОм), корпус (TO-263) и заряд затвора (Qg).

1. Прямые аналоги от Infineon (той же серии/технологии):

• IPP80P04P4L04A — Аналог в корпусе TO-220. Для монтажа в отверстия (THT), а не SMD. Идеальная замена, если нужен другой тип монтажа.
• IPB80P04P4L04ATMA1 — Тот же компонент в запайной ленте (Tape & Reel) для автоматического монтажа.

2. Функциональные аналоги от других производителей:

Сравнивайте по параметрам, особенно Rds(on) при Vgs=4.5В и 10В.

• STMicroelectronics:
  • STL80N4LLF6 (STripFET F6, 3.5 мОм, TO-263)
• Vishay / Siliconix:
  • SUD80N04-06 (TrenchFET®, 6.0 мОм, TO-263)
• ON Semiconductor:
  • NTMFS4C05N (40 В, 80 А, ~3.5 мОм, TO-263)
• Diodes Incorporated:
  • DMT6008LPS (40 В, 75 А, ~4.0 мОм, TO-263)

3. Варианты для повышенных требований:

• Если нужен более низкий Rds(on) в том же форм-факторе: Infineon IPB120N04S4-03 (40 В, 120 А, ~2.3 мОм).
• Если нужно более высокое напряжение: искать аналоги в сериях 60В или 75В (например, IPB/P60/75N...), но с учетом роста Rds(on).

Рекомендации по применению и замене

1. Проверка параметров: При замене всегда сверяйте Rds(on) при том напряжении затвора (Vgs), которое используется в вашей схеме (4.5В, 5В или 10В).
2. Тепловой режим: Из-за высоких токов обязателен эффективный теплоотвод. Используйте радиатор или отвод тепла через медную площадку на печатной плате (Thermal Pad).
3. Цепь управления затвором: Несмотря на статус "logic level", для быстрого переключения и избежания паразитных открытий рекомендуется использовать драйвер затвора (Gate Driver), особенно в цепях с высокой частотой коммутации.
4. Защита от статики (ESD): Устройство чувствительно к статическому электричеству. Соблюдайте соответствующие меры предосторожности.

Вывод: Infineon IPB80P04P4L04 — это высокоэффективный и популярный MOSFET, являющийся отраслевым стандартом для задач коммутации больших токов при низком напряжении. При его замене аналогами необходимо уделять особое внимание вольт-амперным и динамическим характеристикам, указанным в даташите.