Infineon IPD65R950C6ATMA1

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для мощного MOSFET транзистора Infineon IPD65R950C6ATMA1.

Общее описание

Infineon IPD65R950C6ATMA1 — это N-канальный силовой MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ C6. Это ключевой компонент, разработанный для высокоэффективных и компактных импульсных источников питания (SMPS). Его основное назначение — работа в качестве ключа в цепях коррекции коэффициента мощности (PFC) и в мостовых схемах (LLC, полумост, полный мост) на частотах переключения от десятков до нескольких сотен кГц.

Ключевая особенность серии C6 — оптимизация для работы в жёстком режиме переключения (hard switching), что типично для PFC-каскадов. Транзистор предлагает выдающийся компромисс между низким сопротивлением в открытом состоянии (RDS(on)) и динамическими характеристиками (зарядами затвора и выходной ёмкостью).

Технические характеристики (основные)

| Параметр | Значение | Примечание / Условия | | :--- | :--- | :--- | | Производитель | Infineon Technologies | | | Семейство | CoolMOS™ C6 | Оптимизированы для жёсткого переключения | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | | | Корпус | TO-220 | Изолированный (Isolated) | | Полярность | Нормально закрытый | | | Напряжение "сток-исток" (VDS) | 650 В | Максимальное постоянное напряжение | | Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) | 0.950 Ом (макс.) | При VGS = 10 В, ID = 3.5 А | | | 0.095 Ом (тип.) | При VGS = 10 В, ID = 11 А | | Максимальный постоянный ток стока (ID) | 11 А | При Tc = 25°C | | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | 44 А | | | Напряжение затвор-исток (VGS) | ±30 В (макс.) | Стандартный диапазон для MOSFET | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 3.0 - 5.0 В | Тип. 4.0 В | | Полный заряд затвора (Qg) | ~28 нКл (тип.) | При VGS = 10 В, важный параметр для драйвера | | Заряд затвора "включение" (Qgs) | ~7.5 нКл (тип.) | | | Выходная ёмкость (Coss) | ~48 пФ (тип.) | При VDS = 480 В, важна для потерь при переключении | | Диод обратного восстановления (Qrr) | ~0.65 мкКл (тип.) | Очень низкое значение, снижает потери в PFC | | Максимальная рассеиваемая мощность (PD) | 156 Вт | При Tc = 25°C | | Температура перехода (Tj) | -55 ... +150 °C | Рабочий диапазон | | Скорость нарастания напряжения (dv/dt) | > 50 В/нс | Высокая устойчивость к помехам |

Ключевые преимущества и применение

• Высокая эффективность: Благодаря низкому RDS(on) и оптимизированным динамическим параметрам (Coss, Qg, Qrr).
• Надёжность: Высокая устойчивость к лавинным процессам и перегрузкам по току.
• Упрощение схемы управления: Умеренный заряд затвора (Qg) позволяет использовать стандартные драйверы.
• Термическая стабильность: Корпус TO-220 удобен для монтажа на радиатор.

Типичные области применения:

• Коррекция коэффициента мощности (PFC) в блоках питания для ПК, серверов, игровых консолей.
• Импульсные источники питания (SMPS) средней и высокой мощности.
• Платы питания для светодиодных драйверов высокой мощности.
• Инверторы и UPS (источники бесперебойного питания).

Парт-номера (Part Numbers) и Совместимые модели

Данный компонент имеет несколько вариантов маркировки и прямых или функциональных аналогов.

1. Прямые аналоги и варианты маркировки от Infineon:

• IPD65R950C6ATMA1 — полный порядковый номер для заказа.
• IPD65R950C6 — основное название модели (без указания корпуса/упаковки).
• На корпусе транзистора обычно нанесена маркировка: 65R950C6 или её сокращённый вариант.

2. Функциональные / Кроссплатформенные аналоги от других производителей:

При поиске замены важно сравнивать не только напряжение и ток, но и RDS(on), заряд затвора (Qg) и заряд обратного восстановления (Qrr).

• STMicroelectronics:
  • STP20N65M6 (серия MDmesh™ M6, 650В, 0.190 Ом, 16А) — очень близкий по характеристикам и назначению аналог.
  • STP18N65M6 (0.220 Ом, 14А).
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FCP20N60F (SuperFET® F, 600В, 0.19 Ом, 20А) — при условии, что напряжения 600В достаточно.
  • FCP11N60F (600В, 0.32 Ом, 11А).
• Vishay / Siliconix:
  • SUD20N65-5 (650В, 0.2 Ом, 20А) из серии высоковольтных MOSFET.
• Toshiba:
  • TK20A65W (650В, 0.2 Ом, 20А).

Важное примечание по замене:

• IPD65R950C6ATMA1 имеет изолированный корпус TO-220. При замене на неизолированный аналог (например, стандартный TO-220 без изоляционной прокладки) необходимо использовать изолирующую теплопроводящую шайбу (пасту), что может ухудшить тепловой режим.
• Перед заменой обязательно необходимо свериться с datasheet-ами и проверить распиновку (pinout), так как она может отличаться.
• Рекомендуется проводить тестирование в реальной схеме, особенно если речь идет о высокочастотных преобразователях, где критичны паразитные индуктивности и ёмкости.

Вывод

Infineon IPD65R950C6ATMA1 — это высококачественный и технологичный MOSFET, являющийся отраслевым стандартом для построения эффективных силовых каскадов. Его параметры делают его отличным выбором для современных импульсных источников питания средней и высокой мощности, где на первом месте стоит КПД и надёжность. При необходимости замены следует в первую очередь рассматривать аналоги из серий CoolMOS™ C6/C7 от Infineon или оптимизированные для жёсткого переключения серии от других ведущих производителей (MDmesh™ M6 от ST, SuperFET® от ON Semi и т.д.).