Infineon IPD80N04S3-06B

Отличный выбор! Infineon IPD80N04S3-06B — это мощный и надежный N-канальный MOSFET, оптимизированный для современных импульсных источников питания и DC-DC преобразователей. Вот подробное описание и все необходимые данные.

Описание

IPD80N04S3-06B — это компонент из семейства OptiMOS 3, разработанный Infineon для обеспечения исключительно низкого сопротивления в открытом состоянии (RDS(on)) и высокой эффективности переключения. Ключевая особенность этой серии — оптимизация для работы в синхронных выпрямителях и цепях нижнего плеча (low-side switch) в топологиях типа Buck, VRM (модуль регулятора напряжения для процессоров) и POL (Point-of-Load).

Его основное применение — вторичная сторона импульсных блоков питания (например, для серверов, телекоммуникационного оборудования, игровых консолей), где требуется минимизировать потери на проводимость и повысить общий КПД системы.

Ключевые технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание / Условия | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | Enhancement mode | | Технология | OptiMOS 3 (Trench) | | | Корпус | TO-252 (DPAK) | Пластиковый, для поверхностного монтажа, с отводом тепла через контакт стока. | | Напряжение "сток-исток" (V_DSS) | 40 В | Максимальное допустимое напряжение. | | Ток стока (I_D) | 80 А | При температуре корпуса 25°C. | | Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | ~2.6 мОм (макс.) | Ключевой параметр! При V_GS=10 В. Очень низкое значение, минимизирует потери. | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 2.0 - 4.0 В | Тип. 3.0 В | | Заряд затвора (Q_g) | ~55 нКл (тип.) | Низкий заряд упрощает управление и снижает потери на переключение. | | Макс. мощность рассеяния (P_D) | 57 Вт | При T_C=25°C. На практике ограничивается тепловым сопротивлением. | | Тепловое сопротивление "переход-корпус" (R_thJC) | 0.9 °C/Вт | Показывает эффективность отвода тепла от кристалла к корпусу. | | Диод "сток-исток" (Body Diode) | Встроенный | Параметры: I_SD = 80 А, V_SD ≈ -1.4 В (тип.) |

Основные преимущества:

1. Сверхнизкое R_DS(on): Обеспечивает минимальные потери на проводимость.
2. Высокая эффективность переключения: Благодаря низким зарядам затвора и выходной емкости.
3. Высокая устойчивость к лавинному пробою: Надежная работа в жестких условиях.
4. Оптимизирован для синхронного выпрямления: Идеален для замены диодов Шоттки во вторичных цепях.

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Прямые аналоги от Infineon (в других корпусах или с незначительными отличиями):

• IPD80N04S3-03B: Ближайший аналог, но в корпусе TO-263 (D2PAK). Имеет чуть лучшее тепловое сопротивление из-за большего размера.
• IPP80N04S3-06B: Аналог в корпусе TO-220. Для монтажа через отверстие.
• BSC010NE2LSI (OptiMOS 5, более новое поколение, но часто используется в аналогичных применениях).

Совместимые / кросс-платформенные модели от других производителей:

Важно: При замене необходимо сверять не только основные параметры (V_DSS, I_D, R_DS(on)), но и динамические характеристики (Q_g, C_iss), а также цоколевку.

• STMicroelectronics:
  • STL80N4LLF6 — очень близкий аналог в DPAK, 40V, 80A, R_DS(on) ~2.5 мОм.
  • STP80N4L02 (в TO-220, параметры схожи).
• Vishay / Siliconix:
  • SQJ80EP (серия TrenchFET® Gen IV). 40V, 80A, R_DS(on) ~2.4 мОм.
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FDBL86062_F085 (в DPAK, 40V, 80A, R_DS(on) ~2.6 мОм).
  • NTMFS4C02N (более современный, 40V, 100A, в DPAK).
• Nexperia:
  • PSMN4R0-80BS (в DPAK, 40V, 80A, R_DS(on) ~4.0 мОм). Чуть выше сопротивление.
• Alpha & Omega Semiconductor (AOS):
  • AON6240 (в DPAK, 40V, 80A, R_DS(on) ~2.6 мОм). Прямой функциональный аналог.

Рекомендации по применению и замене

1. Тепловой режим: Несмотря на высокий ток, корпус DPAK имеет ограничения по теплоотводу. Обязательно использовать достаточную площадь медной полигональной площадки на плате (согласно даташиту) для радиатора.
2. Управление: Для полного открытия рекомендуется напряжение на затворе 10В. Хотя транзистор начинает открываться при 3-4В, при 10В гарантируется минимальное R_DS(on).
3. Замена: При выборе аналога обращайте внимание на корпус, распиновку (Pinout), заряд затвора (Q_g) (влияет на драйвер) и емкости (C_iss, C_oss, C_rss). Лучше всего сравнивать графики в даташитах.
4. Схема включения: Рекомендуется использовать снабберные цепи и низкоиндуктивные трассировки для подавления выбросов напряжения, особенно в мощных преобразователях.

Вывод: Infineon IPD80N04S3-06B — это классический, проверенный временем MOSFET для эффективного управления большими токами в низковольтных цепях. Его популярность обусловлена оптимальным соотношением цены, производительности и надежности, а наличие многочисленных аналогов упрощает поиск замены или альтернативы.