Infineon IPD90N04S4-04

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для Infineon IPD90N04S4-04.

Общее описание

IPD90N04S4-04 — это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии OptiMOS™ 4. Это ключевой компонент, разработанный специально для высокоэффективных и компактных решений в силовой электронике.

Основное назначение: Преобразование и коммутация постоянного тока (DC-DC преобразователи) в низковольтных приложениях. Ключевые области применения:

• Модули питания материнских плат и видеокарт (VRM - Voltage Regulator Module).
• Системы питания серверов, телекоммуникационного оборудования.
• Низковольтные приводы двигателей.
• Стабилизаторы напряжения (Point-of-Load).

Суть технологии OptiMOS™ 4: Позволяет достичь исключительно низкого значения сопротивления открытого канала (RDS(on)) при минимальных размерах кристалла. Это напрямую ведет к:

• Меньшим потерям на проводимость и, как следствие, более высокой энергоэффективности.
• Снижению тепловыделения.
• Возможности увеличения плотности тока или уменьшения размеров систем охлаждения.
• Улучшенной переключательной способности.

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | | | Технология | OptiMOS™ 4 | | | Корпус | PG-TDSON-8 (также известный как SuperSO8, PowerSO8) | Компактный корпус с термопадой для эффективного отвода тепла. | | Напряжение "сток-исток" (V_DSS) | 40 В | Рабочее напряжение. | | Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | ~1.8 мОм (макс.) | При V_GS = 10 В. Ключевой параметр, определяющий потери. | | Ток стока (I_D) | до 90 А (при T_C=25°C) | Непрерывный ток. Зависит от условий охлаждения. | | Ток импульсный (I_DM) | до 360 А | Кратковременная перегрузка. | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 2.0 - 3.0 В | Типичное ~2.5 В. | | Заряд затвора (Q_g) | ~50 нКл (тип.) | Низкое значение упрощает управление и снижает динамические потери. | | Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot) | ~3.1 Вт | При T_C=25°C. На практике определяется системой охлаждения. |

Парт-номера и совместимые модели

Этот транзистор имеет прямые аналоги и функциональные замены от других производителей, а также различные варианты маркировки.

1. Прямые аналоги (Функциональные замены)

Следующие модели имеют максимально близкие характеристики (корпус, напряжение, сопротивление R_DS(on), ток) и часто могут использоваться как взаимозаменяемые при перекрестном проектировании:

• Vishay (SiS439DN): Очень популярный и распространенный аналог.
• ON Semiconductor (FDMS7650): Аналог в корпусе Power56.
• Nexperia (PSMN4R2-40YS): Близкий по параметрам.
• Alpha & Omega Semiconductor (AON7544):
• Diodes Incorporated (DMN3012LFG):

2. Совместимые модели от Infineon (внутрисемейственные)

Другие транзисторы из линейки OptiMOS™ 4 и OptiMOS™ 5/6 с похожими параметрами, которые могут быть выбраны для апгрейда или при отсутствии оригинала:

• IPD90N04S4-03: Предыдущая ревизия с очень близкими параметрами.
• IPD100N04S4-04: Аналог на 100А.
• IPB180N04S4-04: Более мощная версия в корпусе TO-263 (D²PAK).
• IPP040N04S4-04: Версия на 40А.
• Более новые поколения (с лучшими параметрами):
  • IPD90N06S4-04 (OptiMOS™ 5): На 60В, но с сопоставимым R_DS(on).
  • IPP090N04S5-04 (OptiMOS™ 5): Прямой наследник с улучшенными характеристиками.

3. Варианты маркировки (что может быть написано на корпусе)

На корпусе PG-TDSON-8 обычно наносится сокращенная маркировка. Для IPD90N04S4-04 это может быть:

• Основная маркировка: S4 04 или S404
• Альтернативная/производственная: A4 04 или A404
• Важно: Всегда сверяйте расположение выводов и уточняйте datasheet по коду на корпусе.

Ключевые преимущества для разработчика:

1. Высокая эффективность: Минимальные потери на проводимость.
2. Компактность: Корпус SuperSO8 позволяет создавать плотные компоновки плат.
3. Улучшенное переключение: Низкие заряды затвора способствуют работе на высоких частотах.
4. Надежность: Высокая стойкость к перегрузкам и качество от Infineon.

Важное примечание: При замене на аналог или совместимую модель обязательно необходимо проводить сравнительный анализ даташитов, уделяя внимание не только основным параметрам (V_DSS, I_D, R_DS(on)), но и динамическим характеристикам (Q_g, Q_gd), внутренним емкостям и диаграммам безопасной работы (SOA).