Infineon IPP072N10N3

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для силового MOSFET транзистора Infineon IPP072N10N3.

Общее Описание

IPP072N10N3 — это N-канальный силовой MOSFET транзистор, изготовленный по передовой технологии OptiMOS 3 от Infineon. Он предназначен для применений, где критически важны высокий КПД, надежность и компактные размеры. Ключевая особенность этого транзистора — чрезвычайно низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)) при номинальном напряжении 100 В.

Это делает его идеальным выбором для:

• Импульсных источников питания (SMPS): Особенно в синхронных выпрямителях на стороне низкого напряжения (вторичная сторона).
• DC-DC преобразователей: В том числе понижающих (buck), повышающих (boost) и мостовых топологиях.
• Моторных приводов и управление двигателями: Для коммутации в инверторах и драйверах.
• Схем управления батареями (BMS).
• Высокочастотных преобразователей.

Транзистор поставляется в современном корпусе TO-220, который обеспечивает хороший баланс между способностью рассеивать тепло и удобством монтажа.

Ключевые Технические Характеристики

| Параметр | Значение | Примечание / Условия | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный, MOSFET, Enhancement Mode | | | Технология | Infineon OptiMOS 3 | | | Корпус | TO-220 | | | Сток-Исток напряжение (Vds) | 100 В | Максимальное напряжение отключения | | Ток стока (Id) | 72 А | При Tc = 25°C (непрерывный) | | Ток стока (Id) | 280 А | Импульсный (пиковый) | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | < 7.2 мОм | Ключевой параметр! Vgs = 10 В, Id = 36 А | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th))| 2.0 - 4.0 В | Vds = Vgs, Id = 250 мкА | | Макс. напряжение Затвор-Исток (Vgs) | ±20 В | | | Заряд затвора (Qg) | ~ 60 нКл (тип.) | Важно для расчета драйвера, Vgs = 10 В | | Макс. рассеиваемая мощность (Pd) | 300 Вт | При Tc = 25°C | | Диод сток-исток (Internal Body Diode) | Есть | Прямой ток (Is) = 72 А, Vgs = 0 В |

Ключевые преимущества:

1. Сверхнизкое RDS(on): Минимизирует потери на проводимость, повышая общий КПД системы.
2. Высокая скорость переключения: Благодаря низким зарядам затвора (Qg) и выходной емкости (Coss).
3. Высокая стойкость к лавинным пробоям: Технология OptiMOS обеспечивает надежность при работе в жестких условиях.
4. Оптимизированное соотношение цена/производительность.

Парт-номера (Part Numbers) и Совместимые / Аналогичные Модели

Прямых идентичных парт-номеров с точно такими же характеристиками от других производителей не существует, однако есть множество функциональных аналогов (cross-reference) и моделей в той же линейке от Infineon.

Аналоги от Infineon (тот же корпус и схожие параметры):

• IPP070N10N3: Ближайший аналог с RDS(on) = 7.0 мОм. Практически полный аналог.
• IPP075N10N3: Сопротивление 7.5 мОм.
• IPP040N10N3: Более низкое сопротивление (4.0 мОм), но обычно дороже.
• SPP07N10P3: Аналог в корпусе TO-220 FullPAK (пластиковый, без металлической площадки).
• BSC010N10NS: Аналог в корпусе SuperSO8 (для поверхностного монтажа).

Функциональные аналоги от других производителей:

При поиске аналога следует ориентироваться на ключевые параметры: Vds = 100В, Id > 70А, RDS(on) ~ 7-8 мОм, корпус TO-220.

• STMicroelectronics:
  • STP75NF10 (75А, 100В, RDS(on) = 9.5 мОм) — классический, но более старый аналог с худшими параметрами.
  • STH75N10 (более современный аналог).
• Vishay / Siliconix:
  • SUP75N10-10 (75А, 100В, RDS(on) = 10 мОм).
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FDP75N10 (75А, 100В, RDS(on) = 13 мОм) — параметры скромнее.
  • NTM75N10 (более современная серия).
• International Rectifier (IR):
  • IRF1010N (75А, 100В, RDS(on) = 12 мОм) — устаревшая модель, параметры хуже.

Важное замечание по совместимости: Несмотря на схожесть ключевых цифр (100В/75А), современные аналоги OptiMOS 3 (как IPP072N10N3) почти всегда будут иметь значительно лучшее (низкое) RDS(on) и динамические характеристики, чем классические модели других брендов. Перед заменой обязательно необходимо:

1. Сверять распиновку корпуса (pinout).
2. Проверять характеристики внутреннего диода.
3. Анализировать параметры переключения (Qg, Ciss, Coss) при проектировании драйвера.
4. Смотреть на рабочие температурные диапазоны.

Вывод

Infineon IPP072N10N3 — это высокоэффективный и надежный транзистор для мощных приложений коммутации, где на первом месте стоит минимизация потерь. Его главный конкурентный плюс — очень низкое сопротивление в открытом состоянии. При поиске замены предпочтительнее смотреть в сторону других моделей линейки OptiMOS 3/5/6 от Infineon, чтобы гарантированно получить сопоставимый уровень производительности.