Infineon IPP60R199CP

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для мощного полевого транзистора Infineon IPP60R199CP.

Общее описание

IPP60R199CP — это N-канальный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ CP (CP = CoolMOS™ с повышенной эффективностью). Он предназначен для использования в импульсных источниках питания (SMPS), особенно в топологиях с жестким переключением, таких как корректор коэффициента мощности (PFC) и прямоходовой/двухтактный преобразователь (Forward / LLC резонансный).

Ключевая цель технологии CoolMOS™ CP — найти оптимальный баланс между тремя критически важными параметрами:

1. Низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)) — для минимизации проводимых потерь.
2. Малая эффективная емкость (Coss, Crss) — для снижения динамических потерь на переключение.
3. Высокая скорость переключения и надежность — за счет улучшенной структуры кристалла.

Это делает транзистор отличным выбором для современных высокоэффективных блоков питания с частотой переключения от десятков до сотен кГц.

Технические характеристики (кратко)

• Тип: N-канальный MOSFET, технология CoolMOS™ CP.
• Корпус: TO-220 FullPAK (пластиковый, с изолированной металлической подложкой, не требующей изолирующей прокладки при монтаже на радиатор, но требующей изоляции крепежа).
• Напряжение сток-исток: 600 В.
• Сопротивление открытого канала (RDS(on)): 0.199 Ом (макс.) при напряжении на затворе VGS = 10 В и токе стока 15.5 А.
• Максимальный постоянный ток стока (ID): 11.5 А при температуре корпуса 25°C.
• Максимальный импульсный ток стока (IDM): 46 А.
• Заряд затвора (Qg): 45 нКл (тип.) — ключевой параметр для расчета драйвера.
• Входная емкость (Ciss): 1350 пФ (тип.).
• Выходная емкость (Coss): 85 пФ (тип.).
• Энергия восстановления (Eoss): Малая, что является преимуществом технологии CP.
• Тепловое сопротивление переход-корпус (RthJC): 1.0 °C/Вт.

Полные технические характеристики (основные)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение "сток-исток" | V_DSS | 600 В | | | Сопротивление "сток-исток" | R_DS(on) | 0.199 Ом (макс.) | V_GS = 10 В, I_D = 15.5 А | | | | 0.24 Ом (макс.) | V_GS = 10 В, I_D = 5.8 А | | Постоянный ток стока | I_D | 11.5 А | T_C = 25°C | | | | 7.3 А | T_C = 100°C | | Импульсный ток стока | I_DM | 46 А | | | Рассеиваемая мощность | P_tot | 125 Вт | T_C = 25°C | | Напряжение "затвор-исток" | V_GS | ± 30 В | | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 3.0 - 5.0 В | I_D = 1 мА | | Заряд затвора | Q_g | 45 нКл (тип.) | V_GS = 10 В | | Входная емкость | C_iss | 1350 пФ (тип.) | V_DS = 25 В, V_GS = 0 В, f = 1 МГц | | Выходная емкость | C_oss | 85 пФ (тип.) | | | Проходная емкость | C_rss | 8 пФ (тип.) | | | Время включения / выключения | t_d(on) / t_d(off) | 15 нс / 60 нс (тип.) | | | Тепловое сопротивление (переход-корпус) | R_thJC | 1.0 °C/Вт | | | Корпус | | TO-220 FullPAK | |

Парт-номера и совместимые / аналогичные модели

1. Прямые аналоги от Infineon (в других корпусах):

Эти модели имеют идентичный кристалл, но разный корпус.

• IPP60R199C6 — корпус TO-220 (стандартный, неизолированный, требует изолирующей прокладки).
• IPD60R199C6 — корпус D²PAK (TO-263) для поверхностного монтажа (SMD).
• IPW60R199C6 — корпус TO-247 (более мощный, с лучшим теплоотводом).

2. Ближайшие аналоги по ключевым параметрам (от Infineon и других производителей):

При подборе аналога важно смотреть на связку V_DSS (600В), R_DS(on) (~0.2 Ом) и Q_g (~45 нКл).

• Infineon CoolMOS™ CP:

  • IPP60R190C6 / IPP60R185C6 — чуть меньшее сопротивление (0.190 / 0.185 Ом), обычно взаимозаменяемы.
  • IPP60R250C6 — чуть большее сопротивление (0.250 Ом), может быть более доступным.
  • SPP60R199C6 — аналог в корпусе TO-220FP от Infineon (часто полный аналог под другой маркировкой).

• ON Semiconductor (Fairchild):

  • FCPF11N60NT / FCP11N60NT — серия SuperFET® с похожими параметрами (Rds(on) ~0.19 Ом, Qg ~60 нКл). Требует проверки по выводам и характеристикам.
  • FDPF11N60NT — аналог в корпусе TO-220FP.

• STMicroelectronics:

  • STP11NM60N / STP11NM60FP — MDmesh™ M2, Rds(on) = 0.38 Ом (выше), но часто используется в схожих применениях как более доступный вариант.
  • STW11N60M2 — в корпусе TO-247.

• Vishay (Siliconix):

  • SUP11N60-23 — серия QFET®, Rds(on) = 0.23 Ом.

3. Что важно при замене:

1. Распиновка (Pinout): У всех TO-220/TO-220FP, как правило, стандартная: 1-Затвор, 2-Сток, 3-Исток. Но лучше проверить в даташите.
2. Параметры драйвера: Обращайте внимание на заряд затвора (Qg). Если у аналога он значительно выше, драйвер может не справиться, возрастут потери на переключение.
3. Динамические характеристики: Емкости (Ciss, Coss, Crss) и внутренние диоды. Для критичных по EMI и потерям схем лучше использовать оригинал или точный аналог от Infineon CP/C7.
4. Корпус и охлаждение: FullPAK (IPP) имеет изолированный фланец. При замене на обычный TO-220 (без "FP" в маркировке) обязательно нужна изолирующая прокладка и изоляция крепежа.

Область применения

• Импульсные источники питания (SMPS): PFC-каскады, DC-DC преобразователи.
• Полумостовые и мостовые схемы (в LLC-резонансных преобразователях).
• Инверторы, приводы двигателей малой мощности.
• Источники бесперебойного питания (ИБП).