Infineon IPP80N06S2L07AKSA2

Отличный выбор! IPP80N06S2L07AKSA2 — это очень популярный и надежный N-канальный MOSFET от Infineon, относящийся к семействам OptiMOS™ 2 и StrongIRFET™. Он широко используется в силовых приложениях благодаря хорошему балансу цены и параметров.

Вот подробное описание, технические характеристики и совместимые аналоги.

Описание

IPP80N06S2L07AKSA2 — это N-канальный MOSFET с логическим уровнем управления (Logic Level), что позволяет им эффективно управлять напряжением затвора от 5В, например, напрямую от микроконтроллеров. Ключевые особенности:

• Технология: OptiMOS™ 2 / StrongIRFET™ — обеспечивает низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) и высокую эффективность переключения.
• Корпус: TO-220 — классический, удобный для монтажа на радиатор корпус.
• Основное назначение: Применяется в цепях коммутации и управления мощностью (ключевые режимы, ШИМ-управление) в:
  • Импульсных источниках питания (SMPS)
  • DC-DC преобразователях
  • Управлении двигателями (H-мосты, драйверы моторов)
  • Инверторах
  • Солнечных контроллерах
  • Системах управления батареями (BMS)

Ключевые технические характеристики (ТХ)

| Параметр | Значение | Примечание / Условия | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET (Logic Level) | | | Корпус | TO-220 | | | Структура | Single | Один транзистор в корпусе | | Полярность | Enhancement Mode | Нормально закрытый | | Напряжение "сток-исток" (V_DSS) | 60 В | Максимальное допустимое напряжение | | Ток стока (I_D) | 80 А | При температуре корпуса 25°C | | Ток импульсный (I_DM) | 320 А | Кратковременная перегрузка | | Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | ~7.0 мОм (макс.) | Ключевой параметр! При V_GS=10 В | | | ~8.5 мОм (макс.) | При V_GS=5 В (логический уровень) | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 2 - 4 В | Тип. ~3В | | Емкость входа (C_iss) | ~1800 пФ | Влияет на скорость переключения | | Заряд затвора (Q_g) | ~45 нКл | Важно для расчета драйвера | | Макс. мощность рассеяния (P_tot) | 125 Вт | При условии идеального теплоотвода (T_c=25°C) | | Диод сток-исток | Встроенный (Body Diode) | Параметры: I_SD=80A, V_SD ~1.3В |

Важное примечание: Реальные рабочие токи всегда меньше максимальных и определяются условиями теплоотвода (радиатором) и рабочим циклом (duty cycle). Для длительной работы с высокими токами необходим радиатор.

Парт-номера и совместимые модели (Аналоги)

Модели делятся на прямые аналоги (с максимально близкими характеристиками и корпусом) и совместимые замены (могут быть лучше по некоторым параметрам или иметь другой корпус).

1. Прямые аналоги и альтернативы в корпусе TO-220:

• Infineon (самый близкий ассортимент):

  • IPP80N06S2L-07 — базовая модель без суффикса "AKSA2" (который часто указывает на упаковку/рулон).
  • IPP60N06S2L-07 — 60А, 60В, R_DS(on) ~7.5 мОм (слабее по току).
  • IPP100N06S2 — 100А, 60В, R_DS(on) ~6.5 мОм (мощнее).
  • IRF3205 — классический аналог от International Rectifier (ныне Infineon): 55В, 110А, R_DS(on) ~8.0 мОм. Очень популярная замена, но не логический уровень (для полного открытия нужно V_GS=10В).
  • IRFZ44N — еще более классика: 55В, 49А, R_DS(on) ~22 мОм. Значительно слабее, но часто используется в простых схемах.

• STMicroelectronics:

  • STP80N06 — практически полный аналог: 60В, 80А, R_DS(on) ~9.0 мОм.
  • STP55N06 — 60В, 55А, R_DS(on) ~12 мОм.

• Vishay / Siliconix:

  • SQJ80EP — 60В, 80А, R_DS(on) ~8.5 мОм.

• ON Semiconductor / Fairchild:

  • FQP80N06 — 60В, 80А, R_DS(on) ~9.0 мОм.
  • NTD80N06 — 60В, 80А, R_DS(on) ~9.0 мОм.

2. Современные и улучшенные замены (часто в том же корпусе TO-220):

Более новые поколения MOSFET (OptiMOS™ 3, 4, 5, 6) имеют значительно лучшее соотношение R_DS(on) и заряда затвора (Q_g). Они эффективнее, но могут быть дороже.

• Infineon IPB80N06S2L-03 (OptiMOS™ 2) — R_DS(on) ~3.7 мОм (намного лучше!).
• Infineon IPP60R360P7 (OptiMOS™ P7, 600В) — для сетевых напряжений.
• STMicroelectronics STH320N6F7 — 60В, 210А, R_DS(on) ~2.0 мОм (очень мощный в TO-220).

3. Аналоги в других корпусах (при переразводке платы):

• TO-247: Более крупный корпус для лучшего теплоотвода.
  • IXFH80N06 (IXYS) — 60В, 80А.
  • IPP60R360CP (Infineon) — 600В, 11А (для другого класса напряжения).
• D²PAK (TO-263): Плоский SMD-корпус для поверхностного монтажа.
  • IPP80N06S2L-07 (тот же чип, другой корпус).

Рекомендации по замене

1. При выборе аналога всегда сверяйте: V_DSS, I_D, R_DS(on) (при вашем V_GS!), заряд затвора (Q_g) и корпус.
2. Для замены в существующей схеме лучшим прямым аналогом часто является IRF3205 (если в схеме драйвер выдает 10В) или STP80N06.
3. Для новой разработки стоит рассмотреть более современные модели из новых серий OptiMOS™, так как они обеспечивают меньшие потери и нагрев.

Итог: IPP80N06S2L07AKSA2 — это проверенный временем, надежный и доступный силовой ключ на 60В / 80А. Его популярность обеспечивает большое количество как прямых, так и улучшенных аналогов на рынке.