Infineon IRF3315PBF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги мощного N-канального MOSFET Infineon IRF3315PBF.

Описание

IRF3315PBF — это классический мощный N-канальный MOSFET, выполненный по передовой на момент создания технологии HEXFET. Он предназначен для применения в силовых ключевых схемах, где важны надежность, низкое сопротивление в открытом состоянии и способность работать с большими токами.

Ключевые особенности и области применения:

• Высокая эффективность: Низкое сопротивление канала в открытом состоянии (RDS(on)) снижает потери на проводимость и нагрев.
• Высокая скорость переключения: Благодаря технологии HEXFET, что важно для импульсных схем.
• Высокая устойчивость к перегрузкам: Большой максимальный ток стока и высокая рассеиваемая мощность.
• Широкий диапазон рабочих напряжений: Универсальность для различных задач.

Типичные применения:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Мостовые и полумостовые схемы (H-мосты для моторов)
• Управление двигателями постоянного тока
• Системы управления освещением
• Инверторы и преобразователи
• Силовые ключи в аудиоусилителях класса D

Основные технические характеристики (ТТХ)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (HEXFET) | Enhancement Mode | | Корпус | TO-220AB | Стандартный, для монтажа на радиатор | | Полярность | N-Channel | | | Структура | Single | | | Максимальное напряжение | 150 В | V_DSS (Drain-Source Voltage) | | Непрерывный ток стока | 42 А | I_D при T_C = 25°C | | Импульсный ток стока | 160 А | I_DM | | Сопротивление в открытом состоянии | 0.045 Ом (макс.) | R_DS(on) при V_GS = 10 В, I_D = 21 А | | Пороговое напряжение затвора | 2.0 - 4.0 В | V_GS(th) | | Максимальное напряжение затвор-исток | ±20 В | V_GS | | Общий заряд затвора | ~ 78 нКл | Q_g (тип.) | | Время включения / выключения | ~ 75 нс / ~ 110 нс | t_d(on), t_r, t_d(off), t_f | | Максимальная рассеиваемая мощность | 150 Вт | P_D при T_C = 25°C (с радиатором) | | Диод сток-исток | Встроенный (Body Diode) | Параметры: I_SD = 42 А, V_SD ≈ 1.3 В | | Рабочая температура перехода | -55 до +175 °C | T_J |

Парт-номера и совместимые аналоги

1. Прямые аналоги (Drop-in Replacement) от Infineon и других брендов: Эти модели имеют идентичные или максимально близкие характеристики и распиновку (TO-220AB), что позволяет производить прямую замену без изменения схемы.

• IRF3315 (более старая маркировка от International Rectifier, до поглощения Infineon)
• IRF3315STRLPBF (версия в ленте-россыпи для автоматического монтажа)
• IRF3315SPBF (версия в корпусе TO-263 (D²PAK) для поверхностного монтажа)
• IRF3415PBF — очень близкий аналог, имеет те же 150В, но чуть выше R_DS(on) (0.055 Ом) и ток 43А. Часто используется взаимозаменяемо.
• STP55NF06 (от STMicroelectronics) — 60В, 50А, 0.017 Ом. Внимание! Подходит только если в вашей схеме рабочее напряжение значительно ниже 150В.
• FQP50N06 (от Fairchild/ON Semi) — 60В, 50А, 0.022 Ом. Аналогичное замечание по напряжению.

2. Функциональные аналоги (с проверкой по даташиту): Эти транзисторы имеют сопоставимые или лучшие ключевые параметры (напряжение, ток, RDS(on)), но могут отличаться динамическими характеристиками (зарядами, емкостями). Требуется проверка в конкретной схеме.

• IRF3205PBF — более популярный и часто используемый. 55В, 110А, 0.008 Ом. Подходит только для схем с напряжением до ~48В.
• IRF1405PBF — 55В, 169А, 0.0053 Ом. Мощнее, но для низковольтных применений.
• IRF3710PBF — 100В, 57А, 0.023 Ом.
• IRF3415PBF (см. выше) — самый близкий по напряжению.
• AUIRF3710Z (от Infineon) — 100В, 57А, 0.023 Ом, с улучшенной устойчивостью к лавинному пробою.
• IPP041N15N5 (от Infineon) — 150В, 100А, 0.0041 Ом. Более современный и эффективный транзистор в корпусе TO-220, но может быть дороже.

3. Совместимые модели от других производителей (кросс-референс):

• HUF75545P3 (от Fairchild/ON Semi)
• RFP50N06 (от различных производителей)

Важные замечания при замене:

1. Напряжение V_DSS: Убедитесь, что у аналога напряжение не ниже, чем в вашей схеме, с запасом не менее 20-30%.
2. Ток I_D: Аналог должен выдерживать рабочий ток в вашем применении.
3. Сопротивление R_DS(on): Более низкое значение — лучше (меньше нагрев), но может повлиять на динамику управления.
4. Параметры затвора: Разные заряды (Q_g) и пороговые напряжения (V_GS(th)) могут потребовать корректировки драйвера затвора.
5. Корпус и распиновка: Убедитесь в идентичности (чаще всего TO-220AB).

Рекомендация: Для ответственных или высокочастотных схем всегда сверяйтесь с полными даташитами обоих компонентов (оригинала и аналога), особенно обращая внимание на разделы Electrical Characteristics и Switching Performance. Для простых ключевых схем по напряжению и току часто подходят IRF3205 (для низковольтных) или IRF3415 (для высоковольтных) как более доступные аналоги.