Infineon SGP02N120XKSA1

Артикул: 564751

Требуется установка или ремонт?

тел. +7(499)347-04-82

Описание

Описание Infineon SGP02N120XKSA1

Отличный выбор! Infineon SGP02N120XKSA1 — это высоковольтный, сверхбыстрый силовой MOSFET, предназначенный для современных энергоэффективных преобразователей. Вот подробное описание и вся необходимая информация.

Описание и область применения

SGP02N120XKSA1 — это N-канальный MOSFET на основе передовой технологии CoolMOS™ P7 от Infineon. Это ключевой компонент, разработанный для работы в жестких условиях импульсных источников питания (SMPS).

Основные особенности и преимущества:

Технология CoolMOS™ P7: Обеспечивает исключительно низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) при малом значении заряда затвора (Qg). Это прямой путь к высокой эффективности и снижению коммутационных потерь.
Высокое напряжение: Напряжение сток-исток 1200 В делает его идеальным для работы в сетях переменного тока 230 В и трехфазных систем (с запасом по напряжению).
Сверхбыстрое восстановление внутреннего диода (Fast Body Diode): Критически важно для топологий, где ток течет через внутренний диод (например, корректор коэффициента мощности (PFC) в критическом режиме - CrM). Уменьшает потери на обратное восстановление и повышает надежность.
Оптимизация для жесткого переключения (Hard-Switching): Специально спроектирован для работы в наиболее распространенных и требовательных схемах с жесткой коммутацией.
Высокая эффективность: Позволяет создавать компактные и эффективные блоки питания с высокими удельными характеристиками.

Типичные области применения:

Импульсные источники питания (SMPS) для серверов, ПК, промышленного оборудования.
Корректоры коэффициента мощности (PFC), особенно в критическом/переходном режиме (CrM, TM).
Инверторы для солнечной энергетики.
ИБП (источники бесперебойного питания).
Сварочное оборудование.

Ключевые технические характеристики

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Этот транзистор может встречаться под разными номерами в зависимости от упаковки, маркировки и логистики. Основной номер — SGP02N120XKSA1.

Важные нюансы по маркировке:

На корпусе (TO-247) транзистора нанесена сокращенная маркировка: GP02N120X.
Буква "S" в начале полного номера часто указывает на стандартную упаковку (паллета/рулон). Вариации могут быть: SGP02N120XKSA1, GP02N120XKSA1.

Совместимые модели и прямые аналоги (Cross-Reference)

При поиске замены или аналога необходимо сравнивать ключевые параметры: V_DSS=1200В, R_DS(on) ~2.0 Ом, I_D ~2А, технологию Fast Diode и корпус TO-247.

1. Аналоги от Infineon (той же или похожей серии):

IPW60R041C7 (CFD7) - Более новая технология, может иметь лучшие параметры, но другой корпус (TO-247-3 или -4).
SPP02N120C3 (CoolMOS C3) - Предыдущее поколение, может быть в наличии у дистрибьюторов.
IPP60R041C7 (CFD7) - Аналог в корпусе TO-220 FullPAK.

2. Аналоги от других производителей:

STMicroelectronics: STF2N120K5 (серия MDmesh™ K5, 1200В, 2.3 Ом, Fast Diode).
ON Semiconductor (Fairchild): FCP2N120 (серия SuperFET®, 1200В, 2.2 Ом).
Toshiba: TK2A50U1,Z (1200В, 2.0 Ом, корпус TO-3PFM).
Wolfspeed (Cree): C3M0065120K (SiC MOSFET, кардинально другая, более дорогая и эффективная технология для ВЧ-схем).

Важное предупреждение: Перед заменой всегда сверяйтесь с даташитами (datasheet) и проверяйте:

Распиновку корпуса (pinout).
Зависимости ключевых параметров от температуры.
Динамические характеристики (C_iss, C_oss, C_rss).
Рекомендации по монтажу и температуре пайки.

Вывод

Infineon SGP02N120XKSA1 — это надежный, высокоэффективный ключ для построения силовой части преобразователей напряжения на 1200В. Его главные козыри — низкое R_DS(on) в сочетании с быстрым диодом, что делает его отличным выбором для PFC-каскадов и сетевых инверторов. При замене ориентируйтесь на аналоги с технологией быстрого диода от ведущих производителей.