Infineon SPA11N60C3

Отличный выбор! SPA11N60C3 — это очень популярный и надежный силовой MOSFET транзистор от Infineon. Вот подробное описание, характеристики и информация о совместимости.

Краткое описание

Infineon SPA11N60C3 — это N-канальный MOSFET, выполненный по передовой технологии Super Junction (CoolMOS™ C3). Он предназначен для применения в импульсных источниках питания (SMPS), особенно там, где требуется высокий КПД и надежность.

Ключевые преимущества технологии CoolMOS C3:

• Очень низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) при заданной площади кристалла, что снижает conduction losses (потери на проводимость).
• Высокая скорость переключения и улучшенные характеристики паразитных емкостей (Qg, Ciss, Coss), что снижает switching losses (коммутационные потери).
• Высокая устойчивость к динамическим процессам (dv/dt).
• Повышенная надежность и стойкость к лавинным процессам (Avalanche Rugged).

Основные области применения:

• Импульсные блоки питания (PFC-каскады, прямоходовые, двухтактные преобразователи).
• Источники бесперебойного питания (ИБП).
• Инверторы и драйверы для освещения.
• Бытовой и промышленный электронный инструмент.

Технические характеристики (основные)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (Enhancement Mode) | | | Технология | CoolMOS™ C3 (Super Junction) | | | Корпус | TO-220 | Классический, для монтажа на радиатор. | | Напряжение "сток-исток" (V_DSS) | 600 В | Максимальное напряжение, которое может выдержать закрытый транзистор. | | Максимальный непрерывный ток стока (I_D) | 11 А при T_c=25°C | В реальных схемах зависит от условий охлаждения. | | Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 0.38 Ом (макс.) при V_GS=10 В, I_D=5.5 А | Ключевой параметр для потерь на проводимость. | | Общий заряд затвора (Q_g) | 45 нКл (тип.) при V_GS=10 В | Важно для расчета драйвера и коммутационных потерь. | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 3.0 - 5.0 В | Минимальное напряжение для открытия транзистора. | | Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot) | 156 Вт при T_c=25°C | Теоретический максимум при идеальном охлаждении. | | Диод обратного восстановления (Body Diode) | Есть | Встроенный паразитный диод. Время обратного восстановления (t_rr) ~ 300 нс (тип.). |

Данные приведены из официального даташита. Рекомендуется всегда сверяться с актуальной версией документа.

Part-номера (полное обозначение и аналоги от Infineon)

Официальное полное обозначение обычно включает в себя информацию о корпусе и упаковке:

• SPA11N60C3 — базовое обозначение.
• SPA11N60C3-XX (где XX — код упаковки, например, для катушки, трея и т.д.).

Прямые аналоги в других корпусах от Infineon:

• IPA11N60C3 — в корпусе TO-220 FullPAK (полностью пластиковый, с изолированной от радиатора задней металлической пластиной).
• IPD11N60C3 — в корпусе D²PAK (TO-263) (для поверхностного монтажа SMD, с большой рассеиваемой мощностью).

Совместимые и аналогичные модели (от других производителей)

ВАЖНО: При замене необходимо проверять не только основные параметры (V_DSS, I_D, R_DS(on)), но и динамические (Q_g, C_iss), а также цоколевку. Следующие модели являются функциональными аналогами того же класса и часто используются как взаимозаменяемые.

Наиболее популярные прямые аналоги:

1. STMicroelectronics:

   • STP11NK60Z (или STP11NK60ZFP) — MOSFET серии MDmesh™ II, 600В / 11А / ~0.38 Ом. Один из самых распространенных аналогов.
   • STP11NM60 (серия MDmesh™ M2) — также очень близкий аналог.

2. ON Semiconductor / Fairchild:

   • FCP11N60 — SuperFET® MOSFET, 600В / 11А / ~0.38 Ом.
   • FDP11N60 — аналогичные характеристики.

3. Vishay / Siliconix:

   • SUD11N60-50 — высоковольтный MOSFET из серии, 600В.

4. Power Integration (для ремонта БП):

   • Часто в схемах можно встретить SPA11N60C3 в "связке" с драйверами от PI. Прямых аналогов от PI у этой конкретной модели нет, но они производят интегральные решения (транзистор + контроллер в одном корпусе).

Как подбирать аналог: При поиске замены ориентируйтесь на:

• V_DSS: не ниже 600В.
• I_D: не ниже 11А.
• R_DS(on): близкое значение (0.3 - 0.45 Ом).
• Корпус: TO-220.
• Особенности: Желательно, чтобы транзистор был выполнен по Super Junction технологии (аналоги: MDmesh™, SuperFET®, CoolMOS™).

Вывод

Infineon SPA11N60C3 — это качественный и производительный транзистор, ставший отраслевым стандартом для построения надежных источников питания средней мощности. Его популярность обусловлена удачным балансом цены, параметров и наличием большого количества аналогов от других ведущих производителей, что упрощает ремонт и проектирование.