Infineon SPA11N80C3

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги для мощного полевого транзистора Infineon SPA11N80C3.

Общее описание

Infineon SPA11N80C3 — это N-channel MOSFET, выполненный по передовой суперджанкционной технологии CoolMOS™ C3. Он предназначен для использования в импульсных источниках питания (SMPS) и других энергоэффективных приложениях, где критически важны низкие потери на проводимость и переключение.

Ключевые особенности технологии CoolMOS™ C3:

• Высокая эффективность: Оптимизированное соотношение сопротивления открытого канала (RDS(on)) и заряда (Qg) для снижения потерь как при проводимости, так и при переключении.
• Высокая надежность: Обеспечивает высокий запас по устойчивости к лавинному пробою и расширенную область безопасной работы (SOA).
• Быстрая работа внутреннего диода: Встроенный сток-истокный диод с быстрым восстановлением (Fast Recovery Body Diode), что уменьшает потери при обратном восстановлении в мостовых и резонансных схемах.

Основное назначение: Применяется в сетевых источниках питания (AC/DC), корректорах коэффициента мощности (PFC), DC/DC преобразователях, ИБП, промышленных приводах.

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-channel MOSFET (Enhancement Mode) | | | Технология | CoolMOS™ C3 (Superjunction) | | | Сток-Исток напряжение (V_DSS) | 800 В | Максимальное напряжение блокировки | | Постоянный ток стока (I_D) при 25°C | 11 А | | | Импульсный ток стока (I_DM) | 44 А | | | Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | 0.45 Ом (макс.) при V_GS=10 В | Ключевой параметр для потерь на проводимость | | Заряд затвора (Q_g) | 42 нКл (тип.) при V_GS=10 В | Ключевой параметр для потерь на переключение | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 3.0 - 5.0 В | | | Максимальное напряжение затвор-исток (V_GS) | ±30 В | | | Время обратного восстановления диода (t_rr) | 110 нс (тип.) | Важно для топологий с использованием body diode | | Корпус | TO-220 | Классический корпус для монтажа на радиатор | | Рабочая температура перехода (T_J) | от -55 до +150 °C | |

Парт-номера и аналоги (совместимые замены)

При поиске замены важно сверять не только основные параметры (V_DSS, I_D, R_DS(on)), но и динамические характеристики (Q_g, t_rr), а также цоколевку корпуса.

Прямые аналоги от Infineon (в корпусе TO-220):

• SPA11N80C3 (оригинал, корпус TO-220 FullPAK)
• IPP11N80C3 (аналогичные характеристики, возможно, другая упаковка/маркировка)
• SPA08N80C3 (800В / 8А / RDS(on)=0.68 Ом) — менее мощный, но часто подходит с запасом
• SPA17N80C3 (800В / 17А / RDS(on)=0.22 Ом) — более мощный аналог
• SPA11N80C3FKSA1 — полный парт-номер для заказа.

Совместимые аналоги от других производителей (Superjunction MOSFET, 800В):

• STMicroelectronics: STP11N80K5, STW11N80K5. Технология MDmesh™ K5 является близким аналогом CoolMOS C3.
• ON Semiconductor (Fairchild): FCP11N80, FCP11N80F. Технология SuperFET®.
• Power Integration (через дистрибьюторов): Транзисторы в составе их IC, но как дискретные компоненты реже.
• Vishay (Siliconix): SiHF11N80E. Технология QFET™.

Важное замечание по замене:

1. Всегда сверяйте даташиты. Перед заменой необходимо убедиться в схожести ключевых параметров, особенно заряда затвора (Q_g). Сильное отличие может потребовать пересчета драйвера затвора.
2. Цоколевка (Pinout). У большинства MOSFET в корпусе TO-220 стандартная цоколевка: 1-Затвор, 2-Сток, 3-Исток. Но возможны исключения.
3. Паразитные индуктивности и емкости. В высокочастотных схемах даже небольшие отличия внутренней структуры могут повлиять на ЭМП и выбросы напряжения.

Аналоги в других корпусах (требуется переразводка платы):

• TO-247: IPP11N80C3 (в данном случае это может быть тот же кристалл в большем корпусе).
• TO-220FP (изолированный): Аналоги с приставкой "F" в обозначении, если требуется изоляция от радиатора.

Вывод

Infineon SPA11N80C3 — это надежный и эффективный силовой ключ для построения мощных импульсных источников питания на напряжение сети 220/380В. Его основными конкурентами являются аналогичные решения от STMicroelectronics (серия MDmesh K5) и ON Semiconductor (серия SuperFET). При замене обязателен анализ даташита, особенно раздела динамических характеристик.