Infineon SPA12N50C3

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для мощного полевого транзистора Infineon SPA12N50C3.

Общее описание

Infineon SPA12N50C3 — это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой Super Junction (CoolMOS™ C3) технологии. Он предназначен для использования в импульсных источниках питания (SMPS), где критически важны высокий КПД, надежность и устойчивость к динамическим нагрузкам.

Ключевая идея технологии CoolMOS C3: Минимизация ключевых потерь (особенно при переключении) за счет оптимизации соотношения "сопротивление открытого канала (RDS(on))" к "заряда затвора (Qg)". Это делает его отличным выбором для современных энергоэффективных и компактных решений.

Основные технические характеристики (ТХ)

| Параметр | Значение | Примечание / Условия | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | Super Junction Technology (CoolMOS C3) | | Корпус | TO-220 | Классический, для монтажа на радиатор | | Сток-Исток напряжение (VDSS) | 500 В | Максимальное напряжение, которое можно приложить | | Непрерывный ток стока (ID при 25°C) | 12 А | При температуре корпуса 25°C | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 0.35 Ом | Типовое значение при VGS = 10 В, ID = 6 А | | Заряд затвора (Qg) | ~ 45 нКл | Типовое значение при VGS = 10 В, VDS = 400 В. Важный параметр для расчета драйвера. | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 3 - 5 В | Минимальное напряжение для открытия транзистора | | Максимальная рассеиваемая мощность (PD) | 156 Вт | При температуре корпуса 25°C (с радиатором) | | Динамические характеристики | Высокая скорость переключения, встроенный защитный диод (Body Diode) | Диод имеет время обратного восстановения (trr), важное для индуктивных нагрузок. |

Ключевые преимущества SPA12N50C3:

1. Низкие потери проводимости: Благодаря низкому RDS(on).
2. Высокая эффективность переключения: Оптимизированный заряд затвора (Qg) снижает нагрузку на драйвер и потери на включение/выключение.
3. Высокая надежность и устойчивость: Технология C3 обеспечивает высокую стойкость к лавинным процессам (Avalanche Ruggedness).
4. Отличное соотношение цена/производительность.

Прямые аналоги и парт-номера (Cross-Reference)

Эти транзисторы имеют схожие или идентичные ключевые параметры (500В, ~12А, TO-220) и могут рассматриваться как функциональные аналоги для замены в большинстве схем, но всегда требуется проверка по datasheet, особенно по динамическим характеристикам (Qg, Ciss) и цоколевке!

Популярные прямые аналоги:

• STMicroelectronics: STP12NK50Z, STP12NK50ZFP (с низким RDSon)
• Fairchild/ON Semiconductor: FQP12N50C, FQA12N50C
• Vishay/Siliconix: IRFB12N50A, IRFB11N50A
• International Rectifier (IR): IRFB12N50KPBF
• NXP (Philips): PHB12N50UT

Совместимые модели от Infineon (внутри семейства CoolMOS):

• SPA11N50C3 (11А, 0.4 Ом) — ближайший младший брат, если требуется небольшой запас по току.
• SPA13N50C3 (13А, 0.3 Ом) — ближайший старший брат для повышенного тока.
• IPP12N50C3 — аналог в корпусе TO-220 FullPAK (изолированный).
• Другие транзисторы из серии CoolMOS C3 с напряжением 500В и током в районе 10-15А (например, IPxN50C3).

Важные замечания по замене и применению

1. Всегда сверяйтесь с Datasheet! Перед заменой необходимо сравнить не только напряжение и ток, но и:

   • Заряд затвора (Qg) и входную емкость (Ciss): это критично для работы драйвера. Большее значение может потребовать усиления драйверного каскада.
   • Скорость внутреннего диода (trr): важно для схем с индуктивной нагрузкой и режимов обратного восстановления.
   • Распиновку (Pinout) корпуса (расположение Gate, Drain, Source).
   • Зависимость RDS(on) от температуры.

2. Установка: Для рассеивания номинальной мощности обязательно использование радиатора. Рекомендуется применять теплопроводную пасту и изолирующие прокладки (слюдяные или керамические), если корпус не изолирован.

3. Схема управления: Для эффективного и безопасного переключения на высоких частотах необходим драйвер MOSFET с достаточной выходной токовой способностью для быстрой зарядки/разрядки затвора.

Области применения:

• Импульсные источники питания (PFC-каскады, прямоходовые, мостовые преобразователи).
• Инверторы и драйверы для двигателей.
• Схемы коррекции коэффициента мощности (PFC).
• Электронные балласты для освещения.
• Источники бесперебойного питания (ИБП).

Где искать информацию: Официальный datasheet и другие документы можно найти на сайте Infineon Technologies или на авторитетных электронных компонентных порталах (например, Datasheet PDF, Octopart).