Infineon SPD50N06S2-14
тел. +7(499)347-04-82
Описание Infineon SPD50N06S2-14
Отличный выбор! SPD50N06S2-14 — это классический, надежный и очень популярный N-канальный MOSFET от Infineon, предназначенный для широкого спектра применений в силовой электронике.
Краткое описание
SPD50N06S2-14 — это мощный полевой транзистор с изолированным затвором (MOSFET) в корпусе TO-252 (DPAK), оптимизированный для ключевых режимов работы (switching). Его ключевые преимущества — очень низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)) и способность выдерживать высокие импульсные токи. Благодаря этому он обеспечивает высокий КПД и минимальные потери на нагрев в схемах управления нагрузкой.
Основные области применения:
- Импульсные источники питания (DC-DC преобразователи)
- Управление двигателями (например, в автоэлектронике, вентиляторах, небольших приводах)
- Силовые ключи в контроллерах и реле
- ШИМ-регуляторы (PWM)
- Схемы защиты от перегрузки по току
Технические характеристики (Datasheet Parameters)
| Параметр | Значение | Примечание / Условия | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET (Logic Level) | Управляется низким напряжением (до 10В) | | Корпус | TO-252 (DPAK) | Плоский, для поверхностного монтажа (SMD) | | Структура | StripFET™ | Технология Infineon для низкого Rds(on) | | Напряжение "Сток-Исток" (Vds) | 60 В | Максимальное напряжение между стоком и истоком | | Ток стока (Id) | 50 А | При температуре корпуса 25°C | | Импульсный ток стока (Id_pulse) | 200 А | Кратковременная перегрузка | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 0.014 Ом (14 мОм) | Ключевой параметр! При Vgs=10 В | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th))| 2 - 4 В | Напряжение, при котором транзистор начинает открываться | | Напряжение "Затвор-Исток" (Vgs) | ±20 В | Максимальное (максимально допустимое) | | Рассеиваемая мощность (Ptot) | 50 Вт | При температуре корпуса 25°C (с радиатором) | | Температура перехода (Tj) | -55 ... +175 °C | Рабочий диапазон | | Заряд затвора (Qg) | ~ 45 нКл (тип.) | Важно для расчета драйвера затвора |
Парт-номера и прямые аналоги
Парт-номера (Part Numbers) — это альтернативные обозначения того же самого компонента от Infineon или для разных каналов поставки.
- SPD50N06S2-14 (основной номер)
- SPD50N06S214
- SPD50N06S2-14XKSA1
Совместимые модели и аналоги
Совместимые модели — это прямые или улучшенные аналоги от Infineon и других производителей с похожими или лучшими параметрами. Внимание: При замене всегда сверяйтесь с даташитом, особенно по распиновке и характеристикам в вашей конкретной схеме.
Аналоги от Infineon (часто с улучшенными параметрами):
- IPP050N06N3 / IPP060N06N3 — Более современная серия OptiMOS, значительно ниже Rds(on) (~5-6 мОм), выше эффективность.
- IRF3708 / IRF3710 — Классические модели от International Rectifier (ныне Infineon), но могут иметь немного другие характеристики.
- BSC010N06LS — Аналог в корпусе TO-263 (D2PAK) от Infineon.
Прямые аналоги от других популярных производителей:
- STMicroelectronics:
- STP55N06 — Очень близкий и популярный аналог в том же корпусе.
- STB55N06 — Аналог в корпусе DPAK.
- Vishay (Siliconix):
- SQJ50N06-14L / SQJ50N06-14 — Прямые аналоги с похожими параметрами.
- ON Semiconductor (Fairchild):
- FDB50N06 — Прямой аналог.
- NTD50N06 — Еще один вариант.
- IR (International Rectifier):
- IRFZ44N, IRFZ46N, IRFZ48N — Легендарная серия, но с более высоким Rds(on) (17-22 мОм). Подходят для многих применений, где не критична максимальная эффективность.
Рекомендация по замене:
- Лучший выбор для новой разработки: Рассмотрите более современные серии, такие как Infineon OptiMOS или STmicroelectronics STripFET, они предлагают лучшие характеристики.
- Прямая замена в ремонте: Ищите по ключевым параметрам: N-канал, 60В, 50А, Rds(on) ~14 мОм, корпус TO-252 (DPAK). Модели STP55N06 или FDB50N06 чаще всего являются прямой заменой.
- Проверьте распиновку (pinout): Убедитесь, что расположение выводов (Gate, Drain, Source) у аналога совпадает с оригиналом.
Всегда обращайтесь к официальным даташитам (datasheet) для окончательного подтверждения совместимости в вашей конкретной схеме.