Infineon SPP11N60C2

Infineon SPP11N60C2
Артикул: 564864

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon SPP11N60C2

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для MOSFET транзистора Infineon SPP11N60C2.

Описание

SPP11N60C2 — это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой Super Junction технологии (CoolMOS™ C2 от Infineon). Он предназначен для применения в импульсных источниках питания (SMPS), где требуется высокая эффективность и надежность.

Ключевые особенности и преимущества:

  • Высокое напряжение: Рассчитан на работу в сетях 220В, с запасом по напряжению.
  • Низкое сопротивление открытого канала (R DS(on)): Обеспечивает меньшие коммутационные потери и нагрев в открытом состоянии, повышая общий КПД системы.
  • Высокая скорость переключения: Благодаря технологии Super Junction, обладает низкими зарядами затвора и выходной емкостью, что позволяет работать на высоких частотах.
  • Технология CoolMOS C2: Оптимизированный баланс между R DS(on) и динамическими характеристиками, отличное соотношение цена/качество.
  • Планарная (Planar) технология: Классическая, проверенная и надежная структура ячейки.
  • Корпус TO-220: Универсальный, удобный для монтажа и теплоотвода.

Основные области применения:

  • Импульсные источники питания (SMPS) для ПК, серверов, бытовой техники.
  • Схемы коррекции коэффициента мощности (PFC).
  • Инверторы и преобразователи.
  • Резервные источники питания (UPS).

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Единица измерения | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-канальный, Enhancement Mode | — | MOSFET | | Технология | Super Junction, CoolMOS™ C2 (Planar) | — | | | Корпус | TO-220 | — | Пластиковый, 3 вывода | | Напряжение "сток-исток" (V DSS) | 600 | В | Максимальное допустимое | | Сопротивление в открытом состоянии (R DS(on)) | 0.38 | Ом | При V GS = 10 В, I D = 5.5 А | | Стоковый ток (I D) | 11 | А | При T C = 25°C | | Импульсный ток стока (I DM) | 44 | А | | | Мощность рассеяния (P tot) | 190 | Вт | При T C = 25°C | | Пороговое напряжение затвора (V GS(th)) | 3 - 5 | В | | | Заряд затвора (Q g) | ~ 45 | нКл | Типовое значение | | Время включения (t d(on) + t r) | ~ 18 | нс | Типовое значение | | Время выключения (t d(off) + t f) | ~ 45 | нс | Типовое значение | | Диод "сток-исток" (Internal Diode) | Есть | — | Интегрированный обратный диод |


Парт-номера (Part Numbers) и совместимые модели

Важно: Совместимость должна проверяться не только по электрическим параметрам, но и по разводке печатной платы (pinout), корпусу и тепловым характеристикам. Перед заменой всегда сверяйтесь с даташитами.

1. Прямые аналоги от Infineon (в других корпусах или линейках):

  • IP-серия (изолированный корпус TO-220 FullPak): IPP11N60C2
  • В корпусе TO-220FP (изолированный): SPP11N60C2FP
  • В корпусе D²PAK (TO-263): SPP11N60C2D2

2. Прямые или очень близкие аналоги от других производителей:

Эти модели имеют схожие ключевые параметры (600В, ~11А, R DS(on) ~0.3-0.4 Ом) и часто используются во взаимозаменяемом качестве.

  • STMicroelectronics:
    • STP11NK60Z (с защитным диодом Zener на затворе) — наиболее популярный аналог.
    • STP11NK60
    • STP11NM60 (более современная серия MDmesh™)
  • Fairchild/ON Semiconductor:
    • FCP11N60 (SuperFET®)
    • FQPF11N60C
  • Vishay/Siliconix:
    • SUD11N06-60 (или аналоги серии)
  • International Rectifier (IR):
    • IRFBC40 (классический, но параметры могут уступать)
  • Power Integration (в составе их интегральных схем, но как дискретный компонент с похожими характеристиками):
    • Аналогичные MOSFET в их референс-схемах.

3. Что важно учитывать при замене:

  • Пороговое напряжение (V GS(th)): Должно быть совместимо с драйвером вашей схемы.
  • Динамические характеристики (Q g, C iss): Сильно влияют на работу на высоких частотах. Если схема высокочастотная, сверяйте графики.
  • Корпус и монтаж: TO-220, TO-220FP (изолированный) и D²PAK имеют разные требования к изоляции и теплоотводу.
  • Наличие защитного стабилитрона между затвором и истоком (как у STP11NK60Z). Его наличие — это плюс для защиты от статики и выбросов напряжения.

Рекомендация: Для наиболее точной замены используйте параметрический поиск на сайтах производителей или дистрибьюторов (например, LCSC, Mouser, Digi-Key), задав фильтры: V DSS = 600В, I D >= 11А, R DS(on) < 0.4 Ом, Корпус TO-220. SPP11N60C2 является надежным и популярным компонентом, и его аналоги широко доступны на рынке.

Товары из этой же категории