Infineon SPP12N50C3

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для силового MOSFET транзистора Infineon SPP12N50C3.

Описание

SPP12N50C3 — это N-канальный MOSFET транзистор, изготовленный по передовой технологии Super Junction (CoolMOS™ C3) от Infineon. Он предназначен для использования в импульсных источниках питания (SMPS), особенно в топологиях с жестким переключением, таких как прямоходовые, двухтактные или мостовые преобразователи.

Ключевые особенности и преимущества:

• Технология CoolMOS™ C3: Обеспечивает исключительно низкое сопротивление канала в открытом состоянии (RDS(on)) при высокой рабочей частоте, что приводит к значительному снижению коммутационных потерь и повышению общего КПД системы.
• Высокое напряжение сток-исток: 500 В позволяет использовать в сетевых источниках питания (220/230В) с запасом по напряжению.
• Высокая скорость переключения: Благодаря низким зарядами затвора и выходной емкости, что важно для высокочастотных преобразователей.
• Повышенная надежность: Обладает высокой стойкостью к лавинным процессам (100% тестирование UIS — Unclamped Inductive Switching) и высокой стойкостью к динамическому включению (dv/dt).
• Планарная технология: Обеспечивает отличное соотношение цена/производительность и высокую повторяемость параметров.

Типичные области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS) для ПК, серверов, бытовой электроники.
• Источники питания для освещения (LED-драйверы).
• Корректоры коэффициента мощности (PFC).
• Инверторы и преобразователи для промышленного оборудования.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-канальный, Enhancement mode | | | Технология | CoolMOS™ C3 (Super Junction) | | | Напряжение "сток-исток" (VDSS) | 500 В | | | Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) | 0.35 Ом (макс.) | VGS = 10 В, ID = 6 А | | | 0.45 Ом (макс.) | VGS = 4.5 В, ID = 3 А | | Ток стока (ID) | 12 А | При TC = 25°C | | | 7.5 А | При TC = 100°C | | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | 48 А | | | Мощность рассеяния (PD) | 156 Вт | При TC = 25°C | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th))| 3 - 5 В | VDS = VGS, ID = 250 мкА | | Заряд затвора (Qg) | 52 нКл (тип.) | VGS = 10 В | | Входная емкость (Ciss) | 1800 пФ (тип.) | VDS = 25 В, VGS = 0 В, f = 1 МГц | | Выходная емкость (Coss) | 120 пФ (тип.) | VDS = 25 В, VGS = 0 В, f = 1 МГц | | Емкость обратной связи (Crss) | 10 пФ (тип.) | VDS = 25 В, VGS = 0 В, f = 1 МГц | | Время включения (ton) / выключения (toff)| 18 нс / 55 нс (тип.) | | | Корпус | TO-220 | Пластиковый, с возможностью крепления на радиатор |

Парт-номера (Part Numbers) и совместимые модели

Важно: Полная взаимозаменяемость зависит от конкретной схемы, рабочих частот и условий. Перед заменой рекомендуется сверить ключевые параметры (RDS(on), Qg, емкости) и цоколевку.

1. Прямые аналоги от Infineon (той же серии/технологии):

• SPP11N50C3 — Ближайший аналог с чуть меньшим током (11А) и чуть большим RDS(on) (0.38 Ом). Часто используется в тех же схемах.
• SPP13N50C3 — Аналог с чуть большим током (13А) и меньшим RDS(on) (0.32 Ом).
• IPP12N50C3 — Тот же кристалл, но в изолированном корпусе TO-220 FullPAK (с пластиковой подложкой, не требующей изолирующей прокладки).
• Более новые поколения от Infineon (CoolMOS™ C6, C7, G7) обладают лучшими параметрами, но могут требовать корректировки драйвера из-за другого поведения емкостей.

2. Функциональные аналоги от других производителей (класс 500В / 10-12А):

При поиске аналогов следует ориентироваться на ключевые параметры: VDSS=500В, ID~12А, RDS(on) ~0.3-0.4 Ом, корпус TO-220.

• STMicroelectronics:
  • STP12NK50Z (или STP12NK50ZFP) — SuperFET, хороший аналог по параметрам.
  • STP11NK50Z
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FQP12N50C — популярный и часто встречающийся аналог.
  • FQA12N50C
• Vishay (Siliconix):
  • SUP12N50-21 или SUP12N50-23
• Toshiba:
  • 2SK3675 (TK12N50W)
• NXP (Philips):
  • P12NK50ZFP

3. Ключевые параметры для проверки при замене:

1. Напряжение VDSS: Должно быть не менее 500В.
2. Ток ID: Рекомендуется 12А или более.
3. Сопротивление RDS(on): Желательно близкое значение (0.35-0.45 Ом при VGS=10В).
4. Динамические характеристики: Для высокочастотных схем критически важно сравнивать заряд затвора (Qg) и выходную емкость (Coss). Значительные отличия могут привести к перегреву драйвера или росту потерь.
5. Корпус и цоколевка: TO-220 (стандартная цоколевка: 1-Затвор, 2-Сток, 3-Исток, если смотреть на лицевую сторону).

Рекомендация: Для наиболее точного подбора аналога используйте параметрические поиски на сайтах дистрибьюторов электронных компонентов (например, LCSC, FindChips, Octopart) или производителей, задавая фильтры по указанным выше ключевым характеристикам.