Infineon SPW52N50C3

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для мощного MOSFET транзистора Infineon SPW52N50C3.

Общее описание

Infineon SPW52N50C3 — это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ C3. Он принадлежит к семейству суперджекционных MOSFET (Superjunction MOSFET), что обеспечивает исключительно низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) при высоком рабочем напряжении.

Ключевая особенность и основное применение: Этот транзистор создан для высокоэффективных импульсных источников питания (SMPS), особенно в топологиях с жестким переключением (hard-switching), таких как:

• Корректоры коэффициента мощности (PFC)
• Резонансные преобразователи (LLC)
• Прямоходовые и двухтактные преобразователи

Его главные преимущества — высокий КПД, низкие динамические потери и отличная устойчивость к перегрузкам, что делает его идеальным для промышленных, телекоммуникационных и компьютерных источников питания мощностью от 500 Вт и выше.

Основные технические характеристики (ТХ)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET, Superjunction (CoolMOS™ C3) | Enhancement mode | | Корпус | TO-247 | Стандартный мощный корпус с тремя выводами | | Сток-Исток напряжение | V_DSS = 500 В | Максимальное напряжение отключения | | Непрерывный ток стока | I_D = 52 А | При T_c = 25°C | | Импульсный ток стока | I_DM = 208 А | Максимальный кратковременный ток | | Сопротивление в открытом состоянии | R_DS(on) = 0.055 Ом (макс.) | При V_GS = 10 В, I_D = 26 А | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) = 3.0 - 5.0 В | Типичное ~4.0 В | | Заряд затвора (полный) | Q_g ≈ 130 нКл (тип.) | При V_GS = 10 В, влияет на скорость переключения | | Входная емкость | C_iss ≈ 3600 пФ (тип.) | | | Энергия обратного восстановления | Q_rr / E_rr — очень низкие | Важное преимущество C3 для PFC и мостовых схем | | Максимальная рассеиваемая мощность | P_tot = 300 Вт | При T_c = 25°C (с радиатором) | | Диапазон температур перехода | T_J = -55 ... +150 °C | |

Важные особенности:

• Технология CoolMOS™ C3: Оптимизирована для работы в диапазоне частот 50-150 кГц, обеспечивает лучший компромисс между R_DS(on) и зарядами (Q_g, Q_rr).
• Высокая надежность: Обладает высокой устойчивостью к лавинным breakdown (Avalanche Rated), что важно для индуктивных нагрузок.
• Быстрое переключение: Низкие заряды затвора и обратного восстановления позволяют снизить потери на коммутацию.

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

1. Прямые аналоги от Infineon (в корпусе TO-247):

• SPW47N60C3: Ближайший аналог с чуть большим напряжением (600В) и чуть большим R_DS(on) (0.065 Ом). Часто взаимозаменяем, если позволяет запас по напряжению.
• SPW20N50C3 / SPW35N50C3: Модели из той же линейки с тем же напряжением 500В, но на меньший ток (20А и 35А соответственно). Подходят для менее мощных каскадов.
• IPP50R250CP / IPP50R199CP: Более новые модели из линеек CoolMOS™ P7/P6 (в корпусе TO-220 FullPAK и TO-247). Имеют сравнимые параметры, но другую внутреннюю структуру. Требуется проверка распиновки и характеристик!

2. Совместимые/конкурирующие модели от других производителей:

При поиске аналога необходимо сверять ключевые параметры: V_DSS=500В, I_D ~50А, R_DS(on) ~0.05 Ом, корпус TO-247, а также динамические характеристики (Q_g, Q_rr).

• STMicroelectronics:
  • STW52N50DM2 (MDmesh™ DM2) — очень близкий по характеристикам и назначению.
  • STP52N50DM2 — в корпусе TO-220, для меньшей мощности.
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FCP52N50 (SuperFET®) — прямой конкурент с аналогичными ТХ.
• Vishay / Siliconix:
  • SUP50N05-20 (n-channel PowerMOS) — может рассматриваться как аналог.
• IXYS (Littelfuse):
  • IXFH52N50P — мощный транзистор с похожими параметрами.

Рекомендации по замене (важно!)

1. Всегда сверяйте даташиты (datasheet). Даже у транзисторов с похожими цифрами в названии могут быть критичные отличия в:

   • Заряде затвора (Q_g) и внутренних емкостях — это напрямую влияет на работу драйвера и потери.
   • Энергии обратного восстановления (E_rr) — критично для PFC и мостовых схем.
   • Распиновке выводов (Pinout) корпуса TO-247. Хотя она часто стандартна (1-Gate, 2-Drain, 3-Source), бывают исключения.
   • Пороговом напряжении V_GS(th) и рекомендуемом напряжении на затворе.

2. Проверьте рабочую точку. Убедитесь, что в вашей схеме новый транзистор будет работать с запасом по напряжению (минимум 20-30%), току и температуре.

3. Обратите внимание на поколение технологии. CoolMOS™ C3 — это определенный баланс параметров. Замена на более новое (P7, G7) или старое (C2) поколение может потребовать коррекции схемы драйвера или частоты преобразования.

Вывод: Infineon SPW52N50C3 — это проверенный, надежный и эффективный силовой ключ для серьезных импульсных БП. При его замене лучше всего использовать прямой аналог от Infineon из той же серии C3. Если такой возможности нет, тщательный подбор аналога по даташитам от STMicroelectronics или ON Semiconductor — следующая лучшая альтернатива.