Infineon TT330N12KOF

Infineon TT330N12KOF
Артикул: 565264

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon TT330N12KOF

Отличный выбор! Infineon TT330N12KOF — это мощный и надежный IGBT-транзистор, разработанный для требовательных промышленных применений. Вот подробное описание и технические характеристики.

Краткое описание

TT330N12KOF — это дискретный IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) в корпусе TO-264, предназначенный для работы в ключевом режиме. Он принадлежит к серии NPT (Non-Punch Through) TrenchStop 4, что обеспечивает оптимальный баланс между низким напряжением насыщения (Vce(sat)) и высокой стойкостью к короткому замыканию.

Основное назначение: Преобразователи частоты (ЧРП), сварочное оборудование, источники бесперебойного питания (ИБП), мощные импульсные источники питания, системы управления электроприводами.

Ключевые преимущества:

  • Высокое напряжение 1200В.
  • Большой ток коллектора 330А (при 100°C).
  • Низкое падение напряжения в открытом состоянии (Vce(sat) typ. = 1.85В), что снижает потери на проводимость.
  • Встроенный быстрый обратный диод (Emitter Controlled 4 diode), оптимизированный для снижения коммутационных потерь.
  • Высокая стойкость к короткому замыканию (до 10 мкс).
  • Планарная технология, обеспечивающая высокую надежность.

Основные технические характеристики (ТТХ)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение коллектор-эмиттер | VCES | 1200 В | Максимальное рабочее напряжение | | Ток коллектора (непрерывный) | IC @ 100°C | 330 А | При температуре корпуса 100°C | | Ток коллектора (импульсный) | ICM | 660 А | Максимальный кратковременный ток | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | VCE(sat) | 1.85 В (тип.) | IC = 330А, VGE = 15В | | Напряжение отпирания затвора | VGE(th) | 5.0 В (тип.) | Порожковое напряжение | | Общий заряд затвора | Qg | 940 нКл (тип.) | Влияет на требования к драйверу | | Энергия включения | Eon | 70 мДж (тип.) | При IC = 330А, VCE=600В | | Энергия выключения | Eoff | 40 мДж (тип.) | При IC = 330А, VCE=600В | | Тепловое сопротивление переход-корпус | RthJC | 0.045 К/Вт | Чем меньше, тем лучше теплоотвод | | Температура перехода | Tvj | -55 до +175 °C | Максимальная рабочая +150°C | | Стойкость к короткому замыканию | tsc | 10 мкс | Время, которое транзистор выдерживает КЗ | | Корпус | - | TO-264 (изолированный) | 3-выводной, для монтажа на радиатор |


Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Прямые аналоги Infineon (внутри бренда):

  • TT330N12KOF — основной номер, который вы указали.
  • TT330N12KOFT — как правило, обозначает ту же деталь на катушке для автоматического монтажа (Tape & Reel). Электрические параметры идентичны.

Совместимые / Аналогичные модели от других производителей:

Важно: Полная взаимозаменяемость требует проверки по даташитам, особенно параметров драйвера (Qg, Vge), динамических характеристик и корпуса. Приведенные ниже модели являются аналогами по ключевым параметрам (напряжение, ток, корпус).

| Производитель | Парт-номер | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Fuji Electric | 2MBI300VN-120-50 | Модуль с двумя IGBT в одном корпусе (полумост). По электрическим параметрам очень близок, но конструктивно иной (модуль). | | Mitsubishi Electric | CM300DY-12NFH | Также силовой модуль (полумост). Популярный аналог в модульном исполнении. | | SEMIKRON | SKM300GB12T4 | Еще один известный модуль (полумост) от Semikron. | | IXYS (Littelfuse) | IXGH120N300 | Дискретный IGBT в корпусе TO-264, 1200В, 240А (по току меньше). | | STMicroelectronics | STGW40H120DF2 | IGBT с контроллируемым диодом, 1200В, 40А (значительно меньшая мощность). |

Критически важные замечания по замене:

  1. Дискретный vs. Модуль: TT330N12KOF — дискретный транзистор. Модели от Fuji, Mitsubishi, SEMIKRON — это силовые модули, которые часто содержат несколько ключей (например, полумост) и имеют другую конструкцию, монтаж и требования к драйверам. Прямая замена на плате без ее переделки невозможна.
  2. Ток и мощность: При поиске аналога обязательно сравнивайте ток IC @ 100°C.
  3. Характеристики диода: Встроенный обратный диод — ключевая особенность. Нужно проверять его параметры (trr, IFSM).
  4. Параметры драйвера: Заряд затвора (Qg) должен быть сопоставим, чтобы существующий драйвер мог эффективно управлять заменой.

Рекомендации по применению

  • Драйвер затвора: Требуется драйвер с достаточным пиковым током (несколько ампер) для быстрой зарядки/разрядки затвора. Рекомендуемое напряжение управления VGE = +15В / -5...-15В для надежного включения/выключения и предотвращения ложных срабатываний.
  • Охлаждение: Обязателен массивный радиатор. Низкое тепловое сопротивление RthJC позволяет эффективно отводить тепло, но качественный тепловой интерфейс (термопаста) и правильный момент затяжки винта критически важны.
  • Паразитная индуктивность: Монтаж должен быть выполнен с минимальной паразитной индуктивностью в силовой цепи (короткие толстые дорожки/шины) для снижения выбросов напряжения при коммутации.

Вывод: Infineon TT330N12KOF — это мощный, технологичный и надежный компонент для профессиональных силовых электронных устройств. При замене необходимо уделять особое внимание не только вольт-амперным характеристикам, но и динамическим параметрам, а также типу корпуса.

Товары из этой же категории