Mitsubishi CM100E3Y-12H

Mitsubishi CM100E3Y-12H
Артикул: 598403

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Mitsubishi CM100E3Y-12H

Отличный выбор! Mitsubishi CM100E3Y-12H — это очень популярный и надежный силовой IGBT-модуль третьего поколения (T-Series). Вот подробное описание и вся техническая информация.

Описание

Модуль CM100E3Y-12H представляет собой полумостовую конфигурацию (2 в 1). В одном изолированном корпусе содержатся два IGBT-транзистора и два быстрых обратных диода (FRD), соединенные в схему полумоста. Это ключевой строительный блок для преобразователей частоты (инверторов), источников бесперебойного питания (ИБП), сварочного оборудования и других силовых электронных устройств.

Ключевые особенности:

  • Технология T-Series (3-е поколение IGBT): Оптимальный баланс между низким напряжением насыщения (Vce(sat)) и скоростью переключения, что обеспечивает хороший КПД и снижение потерь.
  • Низкие потери проводимости и переключения: Благодаря этому уменьшается нагрев и повышается общая эффективность системы.
  • Встроенные быстрые обратные диоды (FRD): Позволяют току течь в обратном направлении, что критически важно для индуктивных нагрузок (например, электродвигателей).
  • Изолированный корпус: Позволяет устанавливать модуль непосредственно на общий радиатор охлаждения для всех силовых элементов, упрощая конструкцию системы охлаждения.
  • Высокая надежность: Корпус имеет высокую степень защиты от влаги и устойчивость к термическим циклам.

Типичные области применения:

  • Преобразователи частоты (частотные приводы) на напряжение до 480В.
  • Источники бесперебойного питания (ИБП).
  • Сварочные инверторы.
  • Промышленные источники питания.
  • Системы управления электродвигателями.

Технические характеристики (основные)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Конфигурация | 2 in 1 (Полумост) | Два IGBT + два диода | | Коллектор-Эмиттер напряжение | Vces = 1200 В | Максимальное напряжение, которое может выдержать закрытый IGBT | | Постоянный ток коллектора (при Tc=25°C) | Ic = 100 А | Максимальный ток в непрерывном режиме при указанной температуре | | Ток коллектора (при Tc=80°C) | Ic = 50 А | Более реалистичный параметр для работы с радиатором | | Импульсный ток коллектора | Icp = 200 А | Максимальный кратковременный пиковый ток | | Напряжение насыщения Коллектор-Эмиттер | Vce(sat) = 2.5 В (тип.) | Падение напряжения на открытом транзисторе (определяет потери проводимости) | | Прямое напряжение диода | Vf = 1.8 В (тип.) | Падение напряжения на открытом встроенном диоде | | Мощность рассеяния | Pc = 300 Вт | Максимальная рассеиваемая мощность на модуль | | Температура перехода | Tj = -40°C ... +150°C | Рабочий диапазон кристалла | | Температура хранения | Tstg = -40°C ... +125°C | | | Вес | ~ 38 г | | | Монтаж | Винтовое соединение (клеммы M5) | Для силовых выводов | | Изоляция | Корпус-основание: 2500 В (перем. ток) | Позволяет крепить на общий радиатор |


Парт-номера (Part Numbers) и Совместимость

1. Прямые аналоги Mitsubishi (тот же корпус и параметры):

  • CM100E3Y-12H (основной номер)
  • CM100E3Y-12H# (вариант для автоматизированного монтажа, обычно означает поставку на катушке)

2. Функциональные аналоги от Mitsubishi (могут отличаться поколением, но схожи по параметрам):

  • CM100DY-12H (более старое второе поколение N-Series, имеет более высокие потери).
  • CM100DY-24H (аналог на 1200В, но в другом, более старом корпусе).
  • CM100E3U-12H (аналог в корпусе "U", часто взаимозаменяем по схеме, но требует другой разводки платы и крепления).

3. Совместимые / Аналогичные модели от других производителей:

Важно: При замене аналогом от другого бренда необходимо сверять не только электрические параметры, но и механические размеры, расположение выводов (pinout) и характеристики драйвера управления. Ниже приведены наиболее вероятные аналоги.

  • Fuji Electric:
    • 2MBi100V-120 (2MBi100VA-120) - полумост, 1200В, 100А.
  • Infineon Technologies:
    • FF100R12RT4 (серия TRENCHSTOP IGBT4, полумост, 1200В, 100А). Один из самых популярных аналогов.
  • SEMIKRON:
    • SKM100GB12T4 (серия SEMITRANS 3, 1200В, 100А).
  • ON Semiconductor:
    • FGH100T120SMD (аналог от Fairchild, который теперь часть ON Semi).

Ключевые моменты при замене:

  1. Напряжение (Vces): Должно быть не менее 1200В. Можно больше (например, 1400В), но не меньше.
  2. Ток (Ic): Должно быть не менее 100А при 25°C. Часто берут с запасом.
  3. Конфигурация: Обязательно 2 in 1 (Half Bridge / Полумост). Не путать с одиночными (1 in 1), полными мостами (H-Bridge, 4 in 1) или другими конфигурациями (6 in 1, 7 in 1).
  4. Механика: Размеры корпуса, расположение и тип силовых и управляющих выводов должны полностью совпадать, иначе модуль не установится на плату и радиатор.
  5. Характеристики переключения: Для сложных ремонтов важно учитывать скорость переключения и заряд затвора (Qg), так как это влияет на драйвер управления. Прямые аналоги от Infineon или Fuji обычно подходят.

Рекомендация: Для гарантированной совместимости при ремонте конкретного устройства (например, частотного преобразователя) лучше искать оригинальный модуль CM100E3Y-12H. Если его нет, то аналог Infineon FF100R12RT4 является наиболее распространенной и успешной заменой, но требует проверки механики и схемы управления.

Товары из этой же категории