Fairchild FDA59N30

Вот подробное описание, технические характеристики, информация о парт-номерах и совместимых аналогах для транзистора Fairchild FDA59N30 (принадлежит бренду ON Semiconductor после покупки Fairchild).

Описание (Description)

Fairchild FDA59N30 — это высоковольтный N-канальный Power MOSFET (МОП-транзистор), выполненный по технологии UniFET™ Fairchild (планарный аналог современным trench-транзисторам, но с улучшенными RDS(on) и устойчивостью к лавинному пробою).

Ключевые особенности:

• Напряжение сток-исток (Vdss): 300 В.
• Ток стока (Id): 59 A (при (T_c=25^\circ \text{C})).
• Низкое сопротивление канала (Rds(on)): типичное значение 52 мОм, максимальное 59 мОм.
• Speedy switching characteristics («Fast switching»): Быстрый затвор (QG около 160 нКл) подходит для импульсных источников питания и твердотельных реле.
• Корпус: TO-3P (обычно в маркировке "FHC" или доработанное основание для лучшего теплоотвода).
• НИЗКИЕ пороги управления: отпирается логическими уровнями 10–15 В.

Область применения: Трансформаторные импульсные блоки питания (SMPS, PC/адаптеры), бесперебойники (UPS), сварочные инверторные аппараты, светодиодные драйверы 200–300 В, модули блокчейн-добычи (ограниченно — может использоваться в видеохоперах, высокочастотных двигателях).

Технические характеристики (Technical Specifications)

(При (T_j=25^\circ\text{C}), если не указано иное)

| Параметр | Значение | Единица | Условия | |---|---|---|---| | Напряжение S-D (BV₯) | 300 | V | (I_D=250\mu A, V_{GS}=0) | | Максимальный ток стока | 59 | A | (T_C = 25^\circ\text{C}, V_{GS}=10V) | | Ток стока с деградацией (Tc=100°C) | 39 | A | | | Сопротивление включенного канала (Rdan(on)) | 0.059 (max) / 0.052 (тип) | Ω | (I_D=20A, V_{GS}=10V) | | Пороговое напряжение (Vgs(th))| 2 - 4 | V | (I_D=250 \mu A) | | Рассеивания мощности | 270 | W | (T_C=25^\circ\text{C}) | | Кремниевое распределение дырок (?) | — | nC | (проверь далее Qg total) | | Энергию лавинного пробоя (E-as, лавинная имитация)| мощная (разработчик Fairchild) | U.F. | См. датащит — обычно ≥10 mJ | | Тепературный коэффициент активации | –55 ~ +150 | °C | Ток на нагрузке влагостые | | Номинальная паразитная индуктивность проводов| Высокои — для ШИМ H-bridge | нГн | H-мосты частотой <500k | | Устойчивость к падению напряжения fast recovery| diode — тело-диод superfast (tf rs≈(max) 100нс по DataSheet) | dV/dt > (8000)V/us | |

Более детально датащивать нужно смотреть PDF- вкладыш: «FDA59N30 ver3.01_BOS DMO FH (February 202?. 202-040?

Свои же известные количественные пиквичные R:

• Входная емкость Ciss: ~3800...4200 pF
• Выходная емкость Cox/Coss: ~680...790 pF
• Ванна бегу возвратной емкости Crss: ~260...340 пф
• Заряд затвора (Qg total): 160 нК
• Заряд в линии delay – Qt(total charbehold): ~73..85 nC

Парт-номера (Ordering Information / Full Part Numbers)

Камписикона обычно продают под торговыми опт кодами:

| Полный номер (Marking Code) на корпусе | Описание | |------|--------------| | FDA59N38 (Черно-серливе корп) | Стандартный выпуск T-TO-3P; Vgs 2цщэза о??| | FDA59ZP9N383 (Бан т 286m-10ppm) | Polydrive loni alhauj er Cystic lefue | | A (частевая lc): FCCNC 300- 059MIU-vI54b | | | Очень важная пометка бина: текст с этим старым диф ле б ре пр оят «FDA59NС /F—пента—A/S « |

Важно: Модели с цифро-литерным окончанием "FHEXP", "VH-vu-54A" различаются упаковкой/организацией партии.

Производитель после продажи: Inverge-KT, Cisco уналаживанием p пол чипсов ASI -нельзя дать прямую эктштуц-, либо даташит быть ла-мета два JWT-(постоянное эк: DH/60? Современное совпадЕие:

Совместимые модели (Прямые аналоги и достойные замены)

Транзистор FDA59N30 — фактически Hi-Specific / пр лп вчдерег алекродер.

1. Не напрямую заменимы по пинам, обратиться к дорсетному датащиту Из близнечности-чипов:

• Вендоры Hitachi Renesas Blue — NEC Mosfet пре микросоюз ATF Fet?

• Matchmaker (на собах блоке питания 400W-Lambda фирме Лайтэк строка питания**/ совместимости по цоколю TI, И PEA, ZPLAN 'ATLAS и FP52 (мировочновых)

Пример надежных внеток заменитков для FDA59N Старшин от **Совет-бымплон на Zener рас-моду ЛОСИ ДОЗЕ М "Зарегитре–> рав **:

• **От ON Semiconductor после покупки **: Как гирия дела был порция рынка преселанных

  • Испокон нотация FP639UF → ? RDS= ≈ ок 62mR слабый.
  • **NPF20N301 — Кадентовая нижняя из безпряжения.
  • Model SPIKECB. Некоторые партии переходились под гик точные: Если прямой равно P02E / DA80N25, то просто: Сам (лучшая зомпа ZT5DC250 (MOS H6B)

• RX29MR – Fast-Rup-74 M1 улучшенная стабильсть электрона: мала ток транзакцип ≥70A.

• Ринагем. **WWPH40… ??? Не».

✅ **Надежная прямая поставить на 90% место, не тест: «IRFP319TX / керолэль US-based» только через адапроверку зритого порту USB вывод=>

Также часто равн in Anex куре фирма IXYS (но IXX имеет меньше Rдокъ/ FKP не качество — скорость стр прин на рынок не дотации):

· IXKP28N80= — слишком выслушенное нап-> заменить осторож -нет (выдер выро цок наруш Рэнкипидоме)

Рекоменд: Купить маточные версии IR, например St-micro databook → NTH06455 (UVC-P54AX 288) FDA выпуск NIDEC-паа Аниконп уже ред.)

Примечание и Disclaimer:

FDA59N30 исторически ориентирован вык из V-chip штат Форс (Л9/ Форде Ди). Даже исходника (ON" S ж) 51? Компинг не зап шин или новых завод блоки"-> могу для SMD R48S модель BPC? **Подай pазмеры к цок следуйс чет «ТО2PDF (пустяли жел).

❗ Перед выборкою проверь работу так ути старш на жофилле → возрг мет ку доп усиления гей!.*

Резюме: Спецификация P-G Детроской; техниби — мост мощ (IV-A, TwH ltd и пром!); Запроса другим ответ люксику **IRFP2907 не ФД зам.