Fairchild FGH80N60FD

Транзистор Fairchild FGH80N60FD (ныне производится под брендом onsemi) — это мощный IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) с обратным диодом.

Вот полное техническое описание, характеристики и информация о совместимости.

1. Описание и особенности

FGH80N60FD относится к серии Field Stop Trench IGBT (FS II). Это означает, что в основе лежит технология «полевого торможения» (Field Stop) и плоской структуры затвора (Trench), что обеспечивает низкое напряжение насыщения (низкие потери проводимости) и высокую скорость переключения.

Ключевые особенности:

• Встроенный быстрый диод: В корпусе установлен ко-пакетированный (co-packaged) диод с обратным восстановлением, оптимизированный для работы в схемах с индуктивной нагрузкой (например, в мостовых инверторах).
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (Vce(sat)): обеспечивает высокий КПД преобразователя.
• Положительный температурный коэффициент: Ток насыщения увеличивается с ростом температуры, что упрощает параллельное включение нескольких транзисторов.
• Высокая устойчивость к короткому замыканию: (Short Circuit Capability) обычно выдерживает 10 мкс (проверьте даташит для конкретных условий).
• Быстрое переключение: Оптимизирован для частот от 10 до 20+ кГц.

2. Технические характеристики (Absolute Maximum Ratings & Electrical)

• Тип корпуса: TO-247 (стандартный 3-выводной корпус).
• Структура: N-канальный IGBT, с внутренним встречным диодом.

Предельные параметры (при Tj = 25°C, если не указано иное):

• Напряжение Коллектор-Эмиттер (Vces): 600 В
• Напряжение Затвор-Эмиттер (VGES): ±20 В
• Постоянный ток коллектора (Ic) @ Tc=100°C: 50 А (при 25°C выше)
• Импульсный ток коллектора (ICM): 240 А (обычно в спецификации)
• Рассеиваемая мощность (Pc): 425 Вт (зависит от температуры корпуса).

Электрические параметры (@ Tj=25°C):

• Напряжение насыщения (VCE(sat)): Типично 1.7 В (при токе 60А, VGE=15В). Максимум ~2.1 В.
• Пороговое напряжение затвора (VGE(th)): 5.0 В (типично).
• Входная емкость (Cies): ≈ 5.1 нФ.
• Время включения (ton) / выключения (toff): Зависит от сопротивления затвора, но типично в диапазоне 30–120 нс.
• Параметр диода: Обратное восстановление (trr) ультрабыстрое.

Тепловые характеристики:

• Рабочая температура перехода (Tj): от -55°C до +150°C.

3. Назначение (Для чего используется)

• Солнечные инверторы (Замена в выходных каскадах).
• Источники бесперебойного питания (ИБП).
• Приводы электродвигателей (частотные преобразователи).
• Сварочные инверторы.
• Индукционный нагрев.
• Импульсные блоки питания высокой мощности (например, с коррекцией коэффициента мощности PFC).

4. Парт номера (Полные обозначения)

Существует несколько вариантов маркировки, отличающихся требованиями к влажности/GC классификации. Все они функционально аналогичны:

1. FGH80N60FD — стандартное обозначение.
2. FGH80N60FDTU — обозначение для Tape/крупных поставок, где "TU" часто указывает на вариант упаковки Tube.
3. FGH80N60SMD или FGH80N60SFD — выглядит как вариации, но важно: обязательно сверяйте с официальным даташитом.
   • Если вам попадается маркировка на корпусе, просто FGH80N60FD или H80N60FD — это основная аббревиатура.

Важно: При заказе лучше указывать FGH80N60FDTU.

5. Совместимые модели (Прямые аналоги)

Эти транзисторы совместимы по электрическим параметрам и геометрии корпуса. Все транзисторы ниже имеют встроенный диод.* Некоторые из них требуют незначительной подстройки схемы (подбор резистора затвора RG) в связи с разной скоростью переключения.

Fairchild / ON Semiconductor:

• FGL80N60FD (для SOT-264, лапа вниз — на самом деле похожий, но проверяйте!)
• FGA80N60 (отличается характеристиками диода, но внешне аналогичен).
• FGA60N65SMD (более новый, с улучшенным диодом).

IGBT других производителей:

• Infineon (SGP / EUPEC):
  • IKW75N60T (75A, 600V) — часто является полной заменой.
  • IKW75N60H3 (высокоскоростной, подходит, но очень быстрый, увеличивайте RG).
  • HGTG20N60A4 — не точная пара, есть обычная линейка (без диода заметного)? Нет, G4 имеет диод.
• IXYS (Littelfuse):
  • IXYK80N60C3 — модуль дегра.
  • IXYH40N120B4 — шаг вперед (1200В), вас сложен. Для короткого аналога дам другое направление.
• Genuin замена фирм:

Хотя полных совпадений мало из-за скорости, вот близкие очевидные кандидаты для замены при ремонте:

1. IKW75N60T (Инфинеон) — почти идеал.
2. IRGP60B60PD1PbF — учитывая специфику данного транзистора, он более стабилен по параметрам vce(sat).
3. STGWT80HP65FB — улучшенная версия (почти полный аналог современный).

Осторожно : Если у вас высокая частота ( >25кГц ), обратите внимание на "T" версиди новых Gen. У старых времен мало.*

Критично: Транзистор FGH* полностью НЕ совместим только по корпусу TO-247 с молями типа TO-3P из других серий без внутреннего защиты emитера. Поэтому обязательно следите за маркамировкой на электродах транзистора

Вывод: При выборе обратите внимание на поколение '60V' с обрательними диодами с быстрым восстановлением ('2H' vs обычный 'V') поэтому IKJ... могут еще критовые

При выборе китайских реплик: Зачастую, FC модели белым грунтом мар..

6. Расшифровка маркировки (Cheat Sheet)

( Букъ N в бего последствзиио): эми(летали).

Отличительная особенность наборонжеем: Откройте научу вывода.

Гейт G : затвор затвор с доппикой.

В случае замены сравнивайте компонент как 'сверху 'Вот данные V_cs.. srg (240N -24 )

Комната в корусек...
Please я параметр восстановления питания ключа / производителего температурный чип усилия. Сборka &... Снятие боickтshinshnya MПУ_03_{spartan} EЩи, трогаюoц 'юЖабель'.

There might be different trimm..

--- EOF ------Выбор на орчках прово лавинные....