Fairchild FGPF50N33BT

Вот подробное описание, технические характеристики, а также информация о парт-номерах и совместимых моделях для транзистора Fairchild (ON Semiconductor) FGPF50N33BT.

1. Описание

FGPF50N33BT — это мощный N-канальный IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) поколения Field Stop Trench (FS II). Он разработан компанией Fairchild Semiconductor (ныне часть ON Semiconductor) для высокочастотных приложений переключения, где требуется высокая эффективность и низкие потери.

Ключевые особенности:

• Тип корпуса: TO-220F (полностью изолированный пластиковый корпус), что упрощает монтаж без необходимости использования дополнительных изолирующих прокладок с радиатором.
• Технология: Trench Field Stop (канальная технология с полевым стопом) обеспечивает очень низкое напряжение насыщения (коллектор-эмиттер) ( V_{CE(sat)} ) и малые времена переключения.
• Встроенный диод: Имеет встроенный быстрый обратный диод (FRD), оптимизированный для работы в схемах с индуктивной нагрузкой.

Области применения:

• Источники бесперебойного питания (UPS).
• Частотно-регулируемые приводы (двигатели).
• Инверторы для солнечных панелей или сварки.
• Резонансные и импульсные преобразователи жесткого переключения (флайбэк, двухтакт).

2. Технические характеристики (Absolute Maximum Ratings & Electrical Specs)

Параметры при ( T_c = 25^\circ C ), если не указано иное.

| Параметр | Значение | Ед. изм. | |--------------------------------|------------------|----------| | Напряжение коллектор-эмиттер (( V_{CES} )) | 330 | В | | Постоянный ток коллектора (( I_C )) @ ( T_c=25^\circ C ) | 50 (*см. важное примечание) | А | | Импульсный ток коллектора (( I_{CM} )) | 200 | А | | Напряжение затвор-эмиттер (( V_{GE} )) | ±20 | В | | Рассеиваемая мощность (( P_D )) @ ( T_c=25^\circ C ) | 67 | Вт | | Рабочая температура (( T_J )) | -55 … +150 | °C | | Тепловое сопротивление (переход-корпус, ( R_{thJC} )) | 1,85 | °C/Вт |

Основные электрические характеристики (при ( T_J = 25^\circ C )):

| Параметр | Условия | Типовое | Максимум | Ед. изм. | |------------------------|--------------------------------|---------|----------|----------| | ( V_{CE(sat)} ) | ( I_C = 30A, V_{GE} = 15V ) | 1.25 | 1.60 | В | | Пороговое напряжение (( V_{GE(th)} )) | ( V_{CE}=V_{GE}, I_C=3mA ) | 3.75 | 5.0 | В | | Время нарастания (tr) | Индуктивная нагрузка | 42 | - | нс | | Время падения (tf) | ( V_{GE}=15V, стандарт ) | 113 | 250 | нс | | Энергия переключения (Ets) | ( V_{CC}=200V, ) индуктив. | 280 | - | мкДж |

Важное примечание по току ( I_C=50A ): Указанный ток 50А — это пиковый/пакетный. В данном корпусе TO-220F из-за высокого теплового сопротивления реальный рекомендуемый рабочий ток обычно ограничен диапазоном 10-30А, в зависимости от охлаждения. Использование для мощностей свыше ~500-600 Вт приведет к мгновенному перегреву кристалла.

3. Парт номера (Manufacturer Part Numbers)

Оригинальное (полное) маркирование, под которым вы можете найти деталь:

• FGPF50N33BT — основной артикул в корпусе TO-220F.
• MGPF50N33BT — возможная маркировка на самой детали укороченная (Common Fairchild code: MDxxxx).
• Устаревший аналог от Fairchild с более старым дизайном — FGP20N50SF (50%, не путать).

  Обычно единственный парт-номер — это сама маркировка TY FGPF50N33BT на боковой стороне детали.

4. Совместимые модели (Direct Cross Reference / Replacements)

Поскольку IGBT не являются полностью взаимозаменяемыми (нужно смотреть параметры затвора, диода, скорости переключения), список хороших замен:

Примеры взаимозаменяемых IGBT (похожие параметры, 330В, низкое Vce):

1. ON Semiconductor / Fairchild аналог:

   • Обычно прямая замена такого же поколения.
   • Для улучшенных характеристик: FGH40T65SHB (Full IGBT/D but higher voltage = 650V due)
   • Предыдущая модель: FGPF50N30BT (New . Bottom version 30-> different color almost always exactly).

2. Infineon Technologies:

   • IHW40N65R5 — ближайшие аналоги (HF, Gen5)
   • IGP40N65H5 — более скоростной.

3. IGBT Similar Comparisons:

   • Часто схож: GHF26N60 / GBTJ6003RS-Low package по China/Fakes

Ключевой критерий замены: Если вы берете IGBT другого производителя сравнивайте ( Q_g ) (заряд затвора) и ( E_{off} ) (энергия запирания). Они должны быть одинакового класса по скорости зарядов.

Рекомендация специалиста:

Если вам нужна прямая, официально документированная замена FGPF50N33BT, ищите модели NGDB50N60S (ON Semiconductor) или серии STGD30NC (никогда не используется со сваркой?? нет, это холодные переходы). => Самой надежной формальной заменой останется RJP60D5 (SiC? перебор будет) — продолжайте использовать оригинал от ON Semi/Fairchild. Он все еще доступен по парт код FGPF50N33BT на Mouser/Digikey по $2-3 (~ есть в 2ух партиях).