Fairchild FQA160N08

Вот подробное описание и технические характеристики для мощного полевого MOSFET-транзистора Fairchild FQA160N08, а также список парт-номеров и совместимых аналогов.

Общее описание

Fairchild FQA160N08 (часто маркируется как FQA160N08 или QFN16A) — это N-канальный MOSFET-транзистор, изготовленный по технологии QFET (Planar Stripe). Он предназначен для работы в цепях с высокими токами и средними напряжениями. Отличается очень низким сопротивлением открытого канала (Rds(on)), что обеспечивает высокую эффективность в импульсных источниках питания, преобразователях постоянного тока и инверторах.

Ключевые особенности:

• Технология QFET для низкого сопротивления канала и быстрого переключения.
• Ток стока до 160 А (импульсный — до 300 А).
• Низкое пороговое напряжение (типично 3-5 В).
• Низкий заряд затвора (Qg ~ 180 нКл).
• Корпус TO-247 и TO-3P/Pack мощностью.

Технические характеристики (Datasheet)

| Параметр | Значение | Условия тестирования (Т=25°C, если не указано иное) | | :--- | :--- | :--- | | Максима эти значения | | | | Напряжение сток-исток (Vdss) | 80 В | Rgs = 1 МОм | | Ток стока постоянный (Id) | 160 А (или 75 А в TO-3P) | Tc = 25°C | | Ток импульсный (Idm) | 780 A (импульс 10 мкс) | - | | Мощность рассеяния (Pd) | 520 Вт | Tc = 25°C | | Напряжение затвора (Vgs) | ±25 В | - | | Температура перехода (Tj) | -55...+175 °C | - | | Статические параметры | | | | Напряжение отсечки (Vgs(th)) | 4.0 В / 4.0 В / типично 6.0 В | Id = 20 А, Vds = 15 В | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | < 7.6 мОм | Vgs = 10 В, Id = 80 А | | Крутизна (Gfs) | 58 См (тип) | Id = 80 А, Vds = 40 В | | Ток утечки стока (Iss) | < 1 мА | Vds = 80 В, Vgs = 0 В | | Динамические параметры | | | | Входная емкость (Ciss) | 3100/4520 пФ | Vds=25В, f=1МГц | | Заряд затвора (Qg) | 180 / 248 нКл | Id = 75 А, Vds = 48 В | | Время задержки включения (td(on)) | < 630 нс | Vgs=10В, Id=75А, Impedance = 25Ом |

Предел по корпусу: Обратите внимание, что реальный максимальный длительный ток для корпуса TO-3P ограничен тепловым корпусом и составляет около 40-50 А (в зависимости от охлаждения). Номинальные 160 А — только при импульсной работе Tj = 175°C.

Совместимые модели и аналоги

Поскольку FQA160N08 является старым продуктом (Fairchild теперь часть National Semiconductor/ Texas Instruments), прямых клонов может быть мало. Вот проверенные замены:

Аналоги с напряжением 60-80 В и током 100-200 А:

1. IRL1404L (Hexfet) — 200 А, 80 В, Rds(on) ~ 7 мОм. Самый близкий аналог среди Infineon/IR.
2. IRF2907Z (в корпусе TO-220) — более современный, 170 А, 80 В. В корпусе TO-247 выйдет мощнее.
3. NTP57N38 — 160 А, 80 В от ON Semiconductor.
4. HM160N08 — прямой пин-код совместимость с Hi-Semi (китайский, хуже данные по Rg).
5. REHE160N08 — аналог от Realtek (также нерекомендуем).

Прямые Совместимые модели (стандарты для замены рефернесного дизайна):

• FQB160N08N (TO-220) — мог бы быть альтернативой по современному.

Типовые парт-номера (по сериям)

Для этого транзистора обычно парт-номеры не слишком варьируются, но в каталогах могут встречаться различные упаковки:

• FQA160N08 — оригинальное маркировка на корпусе.
• QFN16A08 или FQA16A08 — устаревшие варианты (не путать с HF MOSFET).
• PMB160T08 — oem?

Совместимость с задачами

• Возможная основная область: Среднечастотные DC-DC конвертеры, ШИМ-резонансные блоки питания, инверторные промышленные сварочные аппараты, мощные автомобильные усилители (при наличии защиты от перенапряжения).

Предостережения при замене:

1. Проверь порог обратного пробоя. У аналогов с DI (более новыми, как IRFP 43200+BB) — другая технология. FQA160N08 — 80 В Min, так что выдерживает 80+, как указано.
2. Тепловой контакт. В корпусе TO-247 нельзя перегревать затвор на ёмкость из стандартного трансформатора — не факт, что новый аналог будет таким же разбитирован по разрядс-реакшн и защите при работе с низким Vgs<7V.
3. Емкостные сполухи: Оригинальные быстро при определенной емкостоге от емкости замены могут говорить (новые с планетарной дб, не джлос, дольше при импульстных всплесках открытий рядом зорнут).

Если нужно повышенное на перегревах низкого THD — выбирайте аналоги с меньшим толщиной диезл толпы последнего пента.