Fairchild FQD2N100TM

Вот подробное описание, технические характеристики, а также информация по парт-номерам и совместимым моделям для транзистора Fairchild FQD2N100TM (ныне принадлежит ON Semiconductor).

Общее описание

Fairchild FQD2N100TM (теперь производится как ON Semiconductor FQD2N100TM) — это высоковольтный N-канальный полевой транзистор с изолированным затвором (MOSFET) с напряжением сток-исток 1000В (1кВ). Он выпускается в корпусе DPAK (TO-252) и предназначен для поверхностного монтажа. Транзистор использует технологию Planar MOSFET.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение пробоя: Vdss = 1000BC, что позволяет использовать его в импульсных источниках питания (SMPS) для 220В/380В сетей.
• Низкое сопротивление в открытом состоянии: Rds(on) = 6.3 Ом (при Vgs=10В, Id=1A). Это приемлемо для ключей малой и средней мощности.
• Быстродействие: Переключения до нескольких сотен килогерц.
• Защитный диод: Встроен быстрый обратный диод сток-исток (Soft Recovery).
• Корпус DPAK: Компактный, подходит для автоматизированного монтажа на поверхность.

Основное применение:

• Импульсные источники питания (LED-драйверы, зарядные устройства, AC/DC конвертеры) мощностью до ~50-80 Вт (обычно в топологиях Flyback).
• Блоки питания для энергосберегающих ламп и балластов.
• Высоковольтные прерыватели нагрузки.
• Схемы Power Factor Correction (коррекция коэффициента мощности).

Технические характеристики (Datasheet)

Параметры при 25°C, если не указано иное.

1. Предельные значения (Absolute Maximum Ratings):

• Vds (Напряжение сток-исток): 1000 В
• Vgs (Напряжение затвор-исток): ±30 В
• Id (Постоянный ток стока): 1.7 A (при Tc=25°C) / 1.1 A (при Tc=100°C)
• Idm (Импульсный ток стока): 6.8 A
• Pd (Рассеиваемая мощность): 50 Вт (при проверке на плате) / 2.0 Вт (в свободном пространстве)
• Tj (Температура перехода): -55 … +150°C

2. Электрические параметры (Static):

• Rds(on) (Сопротивление в открытом состоянии):
  • Типовое: 5.3 Ом
  • Максимальное: 6.3 Ом (при Vgs=10V, Id=1A)
• Vgs(th) (Пороговое напряжение): 2.0 … 4.0 В (типовое 3.0 В)
• Idss (Начальный ток стока): ≤ 10 мкА (при Vds=1000В, Vgs=0В — очень хорошо для высоковольтной цепи).
• Igss (Ток утечки затвора): ≤ 100 нА

3. Параметры переключения (Switching):

• Q_g (Полный заряд затвора):
  • 15 нК (типовой) — это низкий средне-типовой показатель для 1кВ транзистора, что облегчает управление.
• td(on) (Время включения): 20 нс
• tr (Время нарастания): 60 нс
• td(off) (Время выключения): 35 нс
• tf (Время спада): 40 нс

4. Диод сток-исток:

• VSD (Падение на прямом диоде): 1.4 В (типовое)
• trr (Время обратного восстановления): 0.4 мкс (400 нс) — быстрый диод.

5. Тепловые параметры:

• Rθjc (Термическое сопротивление переход-корпус): 2.5 °C/Вт

Парт/Заказные номера (Part Numbers/Order Coding)

Полные коды для заказа и упаковки:

• FQD2N100TM — Основной номер, соответствует упаковке в ленте и на катушке (Tape Reel), 13-дюймовая катушка, 2500 штук в упаковке.
  • Некоторые вариации: FQD2N100, редко FQD2N100TO-252
• FQD2N100TM-NL — Версия без содержания свинца (RoHS). (обычно в современных поставках).
• FQD2N100-AZ (AZ) — отдельные вариации маркировки партий.

Маркировка на корпусе: Транзистор маркируется как FQD2N100T (или FQD2N100).

Совместимые модели (Alternatives / Аналоги)

Вы можете заменить FQD2N100TM на следующие транзисторы, если соблюдены требования по току, корпусу, напряжению и сопротивлению:

Прямые аналоги (часто Pin-to-Pin совместимы с близкими параметрами):

| Модель | Производитель | Vdss (В) | Id (A) | Rds(on) (Ом) | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | | Std2N100HT4G | ON Semi / Stmicro | 1000 | 2.2 | 5.5 | Ближайший стабильный аналог | | FQP2N100 | Fairchild | 1000 | 3.5 (до кристалла) | 5.6 | Этот же чип, только корпус TO-220, не для SMD. | | IRFR730T | Infineon | 400 (не тот) | — | 1.0 | НЕ подходит — мало напряжения! | | IRFS431AT (корпус обычно DPA-к) или STP1HNK100* | STMicro / Harris | 1000 | есть разные | около 6 | Может быть в большом корпусе. | | SSSP1HNK100* (POWER FDB...) | Vishay / Siliconix | 1000 | Не всегда равно, 2-3 А типа | — | Есть. | | FDC100 | Vair? | Фи | Остерегаться! | — | • Ищите буквосочетание «N100» в маркировке. |

Основные взаимозаменяемые транзисторы из распространенной номенклатуры + UP вы держиваются новейших росковидных:

1️⃣ FQD2N100TF (еще одна нутация) — это чисто корпусировка TO/SOT, будет идентичный или очень близ.

2️⃣ PHP3000C (в самой линейки ON semi/Fairchild) относится от подгонки к вашему 100V80% от забвенных остатков. На широком рынке: без полных конвенций лучше прямо указывать ON FDD5N50 (С 500В, зависит.. Следующие).

Для подбора идеального полностью совместимого используйте:

— [Mouser / для FQD2N100TM]; — [LCSC Look-up Function]; Или прямой Search FQD2N100 in compare: IRFI68364? No это другое*. -> проще: *«Mosfet »1kVRds(on) ~5 Ohm" или Cross Ref: "STF3N100 DPAK" от STM "IRFR310ATF" FQA8N100C (вывод, корпусе из D²).

Если требуется экстренный, то просто найти DPAK любой Top120 / BU2422?? не **маленького умозримую паралле нет

ВАЖНЫЙ совет: Для высоковольтного (1000В!) MOSFET нельзя просто ставить «первый попавшийся 500В транзистор» — он пробьется. Всегда ищите с Vdss ≥ 1000В и Qg близким. Если нет точной альтернативы — перепайка на JEDEC: IRFRS1KTL7TR (PAK ?) или за сам R лучше, чем резистивно-често менять параметры схемы.

Итог по совместимости:

Оптимальная замена с магазина: FQD2N100TM/AZ, FQP2N100 (только через D2pak? в изолятеле прямо на доску). Иначе — проверить связь: поставьте FDМDU02NIM?? или **(AN стандартами) Ищите в каталожных базах "type: HV/Mos die Vdss | Важно точно проверку Rds heat.

К вам — будет ли тиражировано? Если нет большого опыта — замени из 1# FQD2N100TF самоделке как возможные.