Infineon SPB11N60C3

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для силового MOSFET транзистора Infineon SPB11N60C3.

Общее описание

Infineon SPB11N60C3 — это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ C3. Он принадлежит к серии, оптимизированной для высокоэффективных и надежных ключевых применений. Основное назначение — работа в качестве высокоскоростного переключателя в импульсных источниках питания (SMPS), особенно в таких топологиях, как обратноходовой (flyback), прямоходовой (forward) преобразователь, а также в схемах коррекции коэффициента мощности (PFC).

Ключевые преимущества технологии CoolMOS™ C3:

• Низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)): Обеспечивает минимальные потери на проводимость, повышая общий КПД системы.
• Высокая скорость переключения: Благодаря низким динамическим параметрам (емкости, заряды).
• Высокая устойчивость к лавинному пробою (Avalanche Ruggedness): Упрощает проектирование и повышает надежность в условиях индуктивных нагрузок и выбросов напряжения.
• Оптимизированное соотношение цена/производительность: Идеальный выбор для массовых приложений.

Основные технические характеристики (ТХ)

| Параметр | Значение | Единица измерения | Комментарий | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-Channel MOSFET (CoolMOS™ C3) | — | | | Корпус | TO-220 | — | Классический, для монтажа на радиатор. | | Напряжение "сток-исток" (V_DSS) | 600 | В | Максимальное напряжение, которое может выдержать закрытый транзистор. | | Постоянный ток стока (I_D) при T_C=25°C | 11 | А | Максимальный ток в непрерывном режиме. | | Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | 0.38 | Ом | Типовое значение при V_GS=10 В, I_D=5.5 А. Ключевой параметр для потерь. | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 3.0 - 5.0 | В | Стандартный уровень управления. | | Максимальное напряжение "затвор-исток" (V_GS) | ±30 | В | | | Полный заряд затвора (Q_g) | ~28 | нКл | Важный параметр для расчета драйвера затвора. | | Время нарастания (t_r) | ~15 | нс | Высокая скорость переключения. | | Время спада (t_f) | ~25 | нс | | | Диод "сток-исток" (Internal Body Diode) | Есть | — | Параметры: V_SD ~ 1.4 В, t_rr ~ 200 нс. |

Тепловые характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot) при T_C=25°C: 125 Вт.
• Тепловое сопротивление "переход-корпус" (R_thJC): 1.0 °C/Вт.
• Максимальная температура перехода (T_J): от -55 до +150 °C.

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Транзистор может поставляться под разными маркировками в зависимости от упаковки и лота. Основные варианты:

• SPB11N60C3 — стандартное обозначение.
• SPB11N60C3FKSA1 — полный Ordering Code, может включать информацию о ленте/упаковке.

Совместимые модели / Прямые аналоги

При поиске замены необходимо учитывать не только основные параметры (600В, 11А), но и технологию (C3), динамические характеристики и корпус.

1. От Infineon (наиболее близкие аналоги из той же серии/технологии):

• SPB11N60C3 (исходная модель).
• SPB11N60S5 — из серии CoolMOS™ S5, имеет более низкое R_DS(on) (~0.29 Ом) и улучшенные динамические характеристики. Прямая и часто рекомендуемая модернизация.
• IPP11N60C3 — аналог в корпусе TO-220 FullPAK (пластиковый, полностью изолированный корпус).
• IPA11N60C3 — аналог в корпусе TO-220FP (изолированный "плоский" корпус).

2. Аналоги от других производителей (важно проверять datasheet и распиновку):

• STMicroelectronics: STP11NK60Z, STP11NM60, STW11NK60Z.
• ON Semiconductor (Fairchild): FCP11N60, FCP11N60FT.
• Vishay (Siliconix): SPP11N60C3.
• Power Integration (в составе их IC): Хотя PI часто использует подобные транзисторы в своих решениях, прямых аналогов как дискретных компонентов у них может не быть.

Области применения

• Импульсные источники питания (SMPS) для ПК, бытовой электроники, промышленного оборудования.
• Схемы коррекции коэффициента мощности (PFC) в блоках питания мощностью 150-250Вт.
• Преобразователи для светодиодного освечения (LED drivers).
• Инверторы (небольшой мощности).
• DC-DC преобразователи.

Важное примечание: При замене на аналог, особенно от другого производителя, обязательно необходимо сверяться с полным даташитом, уделяя внимание:

• Распиновке корпуса (pinout).
• Параметрам внутреннего диода (V_SD, t_rr).
• Зависимостям ключевых параметров (R_DS(on), Q_g) от тока и температуры.
• Характеристикам безопасной рабочей области (SOA).