IXYS IXFH12N50

Описание

IXYS IXFH12N50 — это N-канальный MOSFET транзистор с напряжением сток-исток 500 В и током стока 12 А. Он предназначен для применения в импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях, инверторах и других силовых электронных устройствах.

Транзистор выполнен по технологии Super Trench MOSFET, что обеспечивает низкое сопротивление канала (RDS(on) = 0.5 Ом) и высокую скорость переключения. Корпус TO-247 обеспечивает хороший теплоотвод.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 500 В | | Макс. ток стока (I_D) при 25°C | 12 А | | Макс. ток стока (I_D) при 100°C | 7.5 А | | Сопротивление канала (R_DS(on)) | 0.5 Ом (при V_GS = 10 В) | | Потребляемая мощность (P_D) | 150 Вт (при 25°C) | | Напряжение затвор-исток (V_GS) | ±30 В | | Пороговое напряжение (V_GS(th)) | 2–4 В | | Время включения (t_d(on)) | 12 нс (тип.) | | Время выключения (t_d(off)) | 60 нс (тип.) | | Корпус | TO-247 | | Рабочая температура | от -55°C до +150°C |

Парт-номера (аналоги и замены)

Прямые аналоги (по характеристикам):

• Infineon IPA60R190P7 (600 В, 11 А, R_DS(on) = 0.19 Ом)
• STMicroelectronics STW12N50 (500 В, 12 А, R_DS(on) = 0.5 Ом)
• Fairchild (ON Semiconductor) FQA12N50 (500 В, 12 А, R_DS(on) = 0.5 Ом)
• Vishay IRFP450 (500 В, 14 А, R_DS(on) = 0.4 Ом)

Совместимые модели (схожие параметры, но могут отличаться):

• IXYS IXFH10N50 (500 В, 10 А, R_DS(on) = 0.65 Ом)
• IXYS IXFH15N50 (500 В, 15 А, R_DS(on) = 0.3 Ом)
• IRF840 (500 В, 8 А, R_DS(on) = 0.85 Ом) – менее мощный, но иногда используется как замена

Применение

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• DC-DC преобразователи
• Инверторы и драйверы двигателей
• Высоковольтные коммутационные схемы

Если вам нужна более точная замена, лучше сверить параметры в даташите конкретного устройства.