IXYS IXFN80N50

Описание

IXYS IXFN80N50 – это мощный N-канальный MOSFET транзистор с напряжением 500 В и током стока 80 А, выполненный в корпусе TO-247. Этот транзистор предназначен для высоковольтных и сильноточных применений, таких как импульсные источники питания, инверторы, промышленные приводы и системы управления электродвигателями.

Основные особенности:

• Низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)).
• Высокая скорость переключения.
• Устойчивость к перегрузкам и высоким температурам.
• Защита от статического электричества (ESD).

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |---------------------------|-----------------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 500 В | | Макс. ток стока (I_D) | 80 А (при 25°C) | | Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 0.055 Ом (при V_GS = 10 В) | | Макс. мощность (P_D) | 600 Вт | | Напряжение затвор-исток (V_GS) | ±30 В | | Время включения (t_d(on)) | 15 нс | | Время выключения (t_d(off)) | 60 нс | | Корпус | TO-247 | | Рабочая температура | от -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от других производителей:

• Infineon: IPP80N50S2-5
• STMicroelectronics: STP80NF50
• Vishay: IRFP450
• Fairchild (ON Semiconductor): FDPF50N50

Прямые замены (аналогичные параметры):

• IXFN80N50P (модификация с улучшенными характеристиками)
• IXFN80N50Q (версия с пониженным R_DS(on))

Совместимые модели в схемах (в зависимости от режима работы):

• IXYS IXFN60N50 (60 А, 500 В)
• IXYS IXFN100N50 (100 А, 500 В)
• IXYS IXFN120N50 (120 А, 500 В)

Применение

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Инверторы и преобразователи частоты
• Управление электродвигателями
• Высоковольтные ключевые схемы
• Сварочное оборудование

Если требуется более точный подбор аналога, рекомендуется проверить параметры в даташите, особенно R_DS(on), C_iss и Q_g.