IXYS MCC9516IO1B

IXYS MCC9516IO1B – это высоковольтный IGBT-модуль, предназначенный для применения в мощных импульсных и инверторных системах.

Основные технические характеристики:

• Тип транзистора: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
• Конфигурация: Одиночный IGBT с антипараллельным диодом
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1600 В
• Номинальный ток коллектора (I_C): 50 А (при 25°C)
• Максимальный импульсный ток (I_CM): 100 А
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): ~2,5 В (при номинальном токе)
• Мощность рассеивания (P_tot): ~300 Вт (зависит от условий охлаждения)
• Температура перехода (T_j): от -40°C до +150°C
• Корпус: модульный, изолированный (например, TO-264 или аналогичный)
• Входная емкость (C_ies): ~10 нФ
• Время включения (t_d(on)): ~50 нс
• Время выключения (t_d(off)): ~200 нс

Парт-номера и аналоги:

• Прямые аналоги:
  • IXYS MCC95-16IO1B (альтернативное обозначение)
  • IXGH50N160 (похожий IGBT от IXYS)
  • IRG4PH50UD (International Rectifier, 1200V, но может применяться в схожих схемах)
• Совместимые модели (по характеристикам):
  • IXYS IXGN50N170 (1700V, 50A)
  • Infineon IKW50N160H3 (1600V, 50A)
  • STMicroelectronics STGW50HF60WD (600V, но с высоким током, возможна замена в некоторых схемах)

Применение:

• Силовые инверторы
• Импульсные источники питания
• Драйверы двигателей
• Установки индукционного нагрева

Если требуется точный аналог, лучше проверять datasheet на соответствие параметров в конкретной схеме.