IXYS MDD255-22N1

Описание

IXYS MDD255-22N1 – это мощный N-канальный MOSFET-транзистор с двойным диодом, предназначенный для высоковольтных и высокочастотных применений. Основные сферы использования: импульсные источники питания (SMPS), DC-DC преобразователи, инверторы, управление двигателями и другие силовые электронные устройства.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение сток-исток (1200 В)
• Низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on) = 2.5 Ом)
• Быстрое переключение благодаря встроенному диоду
• Корпус TO-247 для эффективного теплоотвода

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|------------------------|-----------------------------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 1200 В |
| Макс. ток стока (I_D) | 20 А (при 25°C) |
| Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 2.5 Ом (при V_GS = 15 В) |
| Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 4 В (тип.) |
| Макс. мощность (P_D) | 300 Вт (при 25°C) |
| Корпус | TO-247 |
| Встроенный диод | Да (быстрый обратный диод) |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные аналоги от IXYS/Littelfuse:

• MDD255-16N1 (аналог с напряжением 800 В)
• MDD255-24N1 (аналог с напряжением 1200 В, но другими параметрами R_DS(on))

Совместимые модели от других производителей:

• Infineon IPA60R190E6 (600 В, 19 А, TO-247)
• STMicroelectronics STW20NM50 (500 В, 20 А, TO-247)
• Fairchild (ON Semiconductor) FQH20N120 (1200 В, 20 А, TO-247)

Примечание

При замене на аналог необходимо учитывать:

• Напряжение и ток
• Скорость переключения
• Тепловые характеристики

Рекомендуется проверять datasheet перед заменой, особенно в высокочастотных схемах.

Если нужны дополнительные параметры (C_iss, Q_g и др.), уточните – предоставлю детали.