IXYS mubw35-12e7

IXYS MUBW35-12E7 – это силовой модуль, объединяющий MOSFET и диод Шоттки в одном корпусе. Он предназначен для высокоэффективных импульсных преобразователей, DC-DC преобразователей, инверторов и других силовых приложений.

Основные технические характеристики:

• Тип устройства: MOSFET + диод Шоттки
• Напряжение сток-исток (V_DSS): 120 В
• Ток стока (I_D): 35 А (при 25°C)
• Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (R_DS(on)): 14 мОм (типовое)
• Прямое падение напряжения диода (V_F): ~0,8 В (типовое)
• Корпус: TO-247 (изолированный вариант)
• Температурный диапазон: от -55°C до +150°C

Ключевые особенности:

• Высокая эффективность благодаря низкому R_DS(on)
• Быстрое переключение
• Встроенный диод Шоттки для снижения потерь
• Изолированный корпус для удобства монтажа

Парт-номера и совместимые модели:

• IXYS: MUBW35-12E7
• Аналоги:
  • IRFP3710 (Infineon) – близкий по параметрам MOSFET, но без встроенного диода
  • STW45NM50FD (STMicroelectronics) – MOSFET + диод, но с другими параметрами
  • APT30M120J (Microsemi) – IGBT с диодом, но для более высоких напряжений

Если вам нужен точный аналог, лучше искать модули с комбинацией MOSFET + диод Шоттки на 120 В и током ~35 А.

Нужна дополнительная информация по применению или аналогам?