IXYS mubw50-12e8

Описание

IXYS MUBW50-12E8 – это силовой модуль на основе MOSFET и диода Шоттки, предназначенный для применения в высокочастотных преобразователях, импульсных источниках питания, драйверах двигателей и других системах управления мощностью.

Модуль выполнен в компактном корпусе с изолированным основанием, что обеспечивает эффективный теплоотвод и упрощает монтаж на радиатор.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Тип компонентов: MOSFET + диод Шоттки
• Конфигурация: Полумост (Half-Bridge)
• Макс. напряжение (V_DSS): 120 В
• Макс. ток (I_C @ 25°C): 50 А
• Сопротивление открытого канала (R_DS(on)): ~12 мОм (типовое)
• Корпус: Изолированный (например, TO-247 или подобный)

Параметры MOSFET:

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET
• Напряжение затвор-исток (V_GS): ±20 В
• Заряд затвора (Q_g): ~50 нКл (зависит от режима работы)

Параметры диода Шоттки:

• Прямое напряжение (V_F @ 25°C): ~0,55 В
• Обратный ток утечки (I_R): Несколько мА (зависит от температуры)

Тепловые характеристики:

• Температура хранения: -55°C до +150°C
• Рабочая температура: -40°C до +125°C
• Термическое сопротивление (R_thJC): ~0,5 °C/Вт

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и альтернативы:

• IXYS:
  • MUBW50-12E6 (похожий модуль с другими характеристиками)
  • MUBW50-12E7
• Infineon:
  • IPB50R190CE (аналог по току и напряжению)
• Vishay:
  • IRF3205 (отдельный MOSFET, но может использоваться в схожих схемах)
• STMicroelectronics:
  • STP50N10 (альтернативный силовой транзистор)

Совместимые модули в схемах:

• Для замены в драйверах и преобразователях:
  • IRFB4110 (более высокое напряжение)
  • FDPF50N06 (60 В, 50 А)

Применение:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• DC-DC преобразователи
• Драйверы двигателей
• Инверторы и UPS

Если вам нужны точные параметры для конкретного применения, лучше проверить даташит производителя, так как характеристики могут варьироваться в зависимости от условий эксплуатации.