IXYS N0606YS250

IXYS N0606YS250 – это мощный N-канальный MOSFET транзистор, разработанный для высоковольтных и высокочастотных применений. Он широко используется в импульсных источниках питания, инверторах, DC-DC преобразователях и других силовых электронных устройствах.

Основные технические характеристики:

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS): 600 В
• Максимальный ток стока (I_D): 6 А (при 25°C)
• Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)): 2.5 Ом (при V_GS = 10 В)
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 2–4 В
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_D): 40 Вт
• Корпус: TO-252 (DPAK)

Парт-номера и аналоги:

Прямые аналоги (полные замены):

• IXYS N0606YS250 (оригинальный номер)
• IXYS N0606YS250-T (версия в ленте/катушке)
• IXYS N0606YS250G (версия с улучшенными параметрами)

Совместимые модели (похожие MOSFET):

• STP6NK60Z (STMicroelectronics, 600 В, 4 А)
• IRF840 (International Rectifier, 500 В, 8 А)
• FQP6N60 (Fairchild/ON Semi, 600 В, 6 А)
• 2SK3562 (Toshiba, 600 В, 6 А)

Применение:

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• DC-DC преобразователи
• Инверторы и драйверы двигателей
• Высоковольтные ключевые схемы

Этот транзистор отличается высокой надежностью и подходит для частотных преобразователей до нескольких десятков кГц. При замене аналогами рекомендуется проверять соответствие параметров, особенно V_DSS и R_DS(on).