IXYS N1010NC380

IXYS N1010NC380 – это мощный N-канальный MOSFET транзистор с изолированным затвором, предназначенный для высоковольтных и высокочастотных приложений.

Основные характеристики:

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS): 1000 В
• Максимальный ток стока (I_D): 10,5 А (при 25°C)
• Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (R_DS(on)): 3,8 Ом (при V_GS = 10 В)
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 3,0 – 5,0 В
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_D): 125 Вт
• Корпус: TO-247 (стандартный 3-выводной)
• Температурный диапазон: -55°C до +150°C
• Заряд затвора (Q_g): 19 нКл (типовое значение)
• Время включения/выключения (t_r/t_f): 30 нс / 20 нс

Ключевые особенности:

✔ Высокое напряжение 1000 В – подходит для инверторов, импульсных источников питания (SMPS).
✔ Низкое значение R_DS(on) снижает потери мощности.
✔ Быстрое переключение – эффективность в высокочастотных схемах.
✔ Надежный корпус TO-247 с хорошим теплоотводом.

Парт-номера и аналоги:

Прямые аналоги (замена без изменений схемы):

• IXYS N1010NC380 (оригинал)
• IXFH10N100 (аналог от IXYS)
• STW10NK100Z (STMicroelectronics)
• IRFPG50 (International Rectifier, 1000В, 6.3А, 3.5 Ом)

Близкие по параметрам (требуется проверка схемы):

• FQP10N100C (Fairchild/ON Semi)
• IXTH10N100 (IXYS)

Совместимые модели в силовых приложениях:

Транзистор применяется в:

• Импульсных блоках питания (SMPS)
• Инверторах и UPS
• Драйверах двигателей
• Высоковольтных преобразователях

Если требуется замена, важно учитывать параметры V_DSS, I_D, R_DS(on) и Q_g.

Для точного подбора аналога рекомендуется проверять даташиты и тестировать в реальной схеме.