IXYS N1114LS120

IXYS N1114LS120 - Описание и технические характеристики

Описание

IXYS N1114LS120 — это высоковольтный N-канальный MOSFET-транзистор, разработанный для мощных импульсных приложений. Он обладает низким сопротивлением в открытом состоянии (R_DS(on)) и высокой скоростью переключения, что делает его подходящим для:

• Импульсных источников питания (SMPS)
• DC-DC преобразователей
• Мостовых схем (H-мосты)
• Индукционных нагревателей
• Управления двигателями

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |---------------------------|----------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 1200 В | | Макс. ток стока (I_D) | 11 А (при 25°C) | | Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | 1.4 Ом (при V_GS = 15 В) | | Напряжение затвор-исток (V_GS) | ±30 В | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 4 В (тип.) | | Мощность рассеивания (P_D) | 150 Вт | | Корпус | TO-247 | | Диапазон рабочих температур | -55°C до +150°C |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги (замена без изменений в схеме):

• IXYS N1114LS100 (аналог с V_DSS = 1000 В)
• IXYS N1114LS150 (аналог с V_DSS = 1500 В)
• IXYS N1117LS120 (близкий по характеристикам)

Совместимые модели (возможна замена с проверкой параметров):

• IRFP460 (600 В, 20 А, TO-247)
• STW20NM60 (600 В, 20 А, TO-247)
• FQH12N120 (1200 В, 12 А, TO-247)
• APT120R120J (1200 В, 18 А, TO-247)

Примечание

При замене на аналог необходимо учитывать:

• Напряжение V_DSS
• Ток стока I_D
• Сопротивление R_DS(on)

Если требуется точная замена, рекомендуется сверяться с даташитом производителя.