IXYS N1114LS180

Описание IXYS N1114LS180

IXYS N1114LS180 — это мощный N-канальный MOSFET транзистор, предназначенный для высоковольтных и высокочастотных применений. Он обладает низким сопротивлением в открытом состоянии (R_DS(on)) и высокой скоростью переключения, что делает его подходящим для импульсных источников питания, инверторов, DC-DC преобразователей и других силовых электронных устройств.

Корпус TO-263 (D²Pak) обеспечивает эффективный отвод тепла, что позволяет использовать компонент в условиях высокой нагрузки.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|-----------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 180 В | | Макс. ток стока (I_D) при 25°C | 111 А (импульсный до 400 А) | | Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | 4,5 мОм (при V_GS = 10 В) | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 2–4 В | | Макс. мощность рассеяния (P_D) | 300 Вт (с теплоотводом) | | Корпус | TO-263 (D²Pak) | | Рабочая температура | -55°C до +175°C | | Заряд затвора (Q_g) | ~120 нКл | | Время включения (t_d(on)) | ~20 нс | | Время выключения (t_d(off)) | ~60 нс |

Парт-номера (альтернативные обозначения)

• IXYS N1114LS180 (оригинальный номер)
• IXFH111N18T (аналог от IXYS с близкими параметрами)
• IRFP250N (International Rectifier, аналог с V_DSS = 200 В)

Совместимые модели (аналоги)

1. IRFP260N (200 В, 50 А, R_DS(on) = 0.04 Ом)
2. STP80NF55-06 (55 В, 80 А, R_DS(on) = 6 мОм)
3. FDPF33N25 (250 В, 33 А, R_DS(on) = 85 мОм)
4. AUIRF1404Z (40 В, 202 А, R_DS(on) = 1.4 мОм) – для менее высоких напряжений

Применение

• Импульсные источники питания (SMPS)
• DC-DC преобразователи
• Управление двигателями
• Инверторы и H-мостовые схемы
• Солнечные инверторы

Если нужна более точная замена, рекомендуется проверять даташиты на соответствие параметров в конкретной схеме.