IXYS VUB7212NOXT

Описание и технические характеристики IXYS VUB7212NOXT

Описание:
IXYS VUB7212NOXT – это N-канальный MOSFET транзистор, разработанный для высокоэффективных коммутационных приложений. Обладает низким сопротивлением в открытом состоянии (R_DS(on)) и высокой скоростью переключения, что делает его подходящим для импульсных источников питания, DC-DC преобразователей, управление двигателями и других силовых электронных устройств.

Технические характеристики:

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS): 100 В
• Максимальный ток стока (I_D): 72 А (при 25°C)
• Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (R_DS(on)):
  • 12 мОм (при V_GS = 10 В)
  • 15 мОм (при V_GS = 4,5 В)
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 2–4 В
• Максимальное напряжение затвор-исток (V_GS): ±20 В
• Рассеиваемая мощность (P_D): 300 Вт (при 25°C)
• Корпус: TO-263 (D²PAK)
• Температурный диапазон: -55°C до +175°C

Парт-номера и аналоги:

• IXYS: VUB7212NOXT, VUB7212
• Infineon: IPP60R099P7XKSA1
• Vishay: SUP70090E
• STMicroelectronics: STP80NF10
• Fairchild (ON Semiconductor): FDP7030BL

Совместимые модели (аналоги с близкими параметрами):

• IRF1405 (International Rectifier)
• IRFB4310PbF (Infineon)
• AOT290L (Alpha & Omega Semiconductor)
• FDP047N10 (ON Semiconductor)

Данный транзистор может быть заменен на аналоги с близкими параметрами по току, напряжению и R_DS(on), но перед заменой рекомендуется проверить соответствие характеристик в даташите.