IXYS VUO3514NO7

IXYS VUO3514NO7 – это мощный MOSFET-транзистор в корпусе TO-264, предназначенный для высоковольтных и высокочастотных применений, таких как импульсные источники питания, инверторы и системы управления двигателями.

Технические характеристики:

• Тип: N-канальный MOSFET
• Напряжение сток-исток (V_DSS): 1400 В
• Максимальный ток стока (I_D): 35 А (при 25°C)
• Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)): 0,37 Ом (при V_GS = 10 В)
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 4 В (тип.)
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_D): 300 Вт
• Тип корпуса: TO-264 (TO-3P)
• Температурный диапазон: -55°C ... +150°C

Парт-номера (аналоги и замены):

• IXYS: VUO35-14NO7, VUO35-14NO7
• Infineon: IPP60R190P6
• STMicroelectronics: STW35NB140
• IR (Infineon): IRFP460

Совместимые модели (аналоги по характеристикам):

• IXYS VUO35-12NO7 (1200 В, 35 А)
• IXYS VUO40-12NO7 (1200 В, 40 А)
• IXYS VUO30-14NO7 (1400 В, 30 А)
• IXYS VUO50-08NO7 (800 В, 50 А)

Этот транзистор подходит для замены в схемах с аналогичными параметрами, но перед заменой рекомендуется проверять соответствие характеристик в конкретном применении.

Если нужны дополнительные параметры (C_iss, Q_g и т. д.), уточните!