IXYS VUO5214NO1

Описание и технические характеристики IXYS VUO5214N01

Описание:
IXYS VUO5214N01 – это высоковольтный MOSFET-модуль с двойным N-канальным транзистором в корпусе TO-268 (ISOPLUS247). Он предназначен для применения в импульсных источниках питания, инверторах, сварочных аппаратах и других высоковольтных системах. Модуль обеспечивает высокую эффективность и надежность благодаря низкому сопротивлению открытого канала (RDS(on)) и высокой устойчивости к импульсным нагрузкам.

Технические характеристики:

| Параметр | Значение | |------------------------------|------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Конфигурация | Двойной (Dual) | | Максимальное напряжение (VDS)| 1400 В | | Максимальный ток (ID) | 10 А (при 25°C) | | Сопротивление RDS(on) | 2.1 Ом (при VGS = 15 В) | | Напряжение отсечки (VGS(th)) | 4 В (типовое) | | Рабочая температура | -40°C до +150°C | | Корпус | TO-268 (ISOPLUS247) | | Тип управления | Оптимизировано для быстрого переключения | | Защита | Встроенный демпферный диод |

Парт-номера и совместимые модели:

Прямые аналоги:

• IXYS VUO5214N01 (оригинал)
• IXYS VUO5214 (аналогичная версия)
• IXYS VUO52-14N01 (альтернативное обозначение)

Совместимые / похожие модели:

• IXYS VUO52-14N07 (1400 В, 10 А, но с другим RDS(on))
• IXYS VUO52-16N07 (1600 В, 9 А)
• IXYS VUO52-12N07 (1200 В, 12 А)
• APT50GF140J (1400 В, 50 А, от Advanced Power Technology)
• STGW40H140DF (1400 В, 40 А, от STMicroelectronics)

Примечание: При замене на аналог важно учитывать параметры VDS, ID, RDS(on) и управляющее напряжение, чтобы не ухудшить характеристики схемы.

Если вам нужна помощь с подбором замены или дополнительная информация – уточните условия применения!